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描述:
LT3060MPTS8-1.5  LT3060IDC-3.3  LT3060MPTS8-2.5  LT3060MPTS8-1.8  LT3060MPTS8-5  LT3060ITS8-1.8  LT3060ITS8  LT3080/  LT3060MPTS8-3.3  LT3060ITS8-1.5  
MT5C1001EC-55L/XT 1M ×1 SRAM SRAM存储器阵列 (1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY)
.型号:   MT5C1001EC-55L/XT
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描述: 1M ×1 SRAM SRAM存储器阵列
1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY
文件大小 :   95 K    
页数 : 13 页
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品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
奥斯汀半导体公司
1M ×1的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-92316
• MIL -STD- 883
MT5C1001
有限
引脚分配
( TOP VIEW )
SRAM
28引脚DIP (C )
( 400 MIL )
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
A16
A17
A18
A19
Q
WE \\
VSS
1
2
3
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5
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VCC
A9
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A6
A5
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NC
A3
A2
A1
A0
D
CE \\
32引脚LCC ( EC)
32引脚SOJ ( DCJ )
A10
A11
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NC
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A15
NC
A16
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A18
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NC
Q
WE \\
VSS
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VCC
NC
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A6
A5
A4
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NC
A2
NC
A1
A0
D
CE \\
特点
高速:20, 25 ,35,和45
备用电池: 2V的数据保留
低功耗待机
+ 5V单电源( + 10 % )电源
轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项。
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
32引脚扁平封装(F )
选项
•时机
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
•包( S)
陶瓷DIP ( 400密耳)
陶瓷LCC
陶瓷扁平
陶瓷SOJ
记号
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
A10
A11
A12
NC
A13
A14
A15
NC
A16
A17
A18
A19
NC
Q
WE \\
VSS
1
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VCC
NC
A9
A8
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A6
A5
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NC
A2
NC
A1
A0
D
CE \\
C
EC
F
DCJ
第109号
207号
303号
501号
概述
该MT5C1001采用低功耗,高性能
硅栅CMOS技术。静电设计,消除了
无需外部时钟或定时选通,而CMOS电路
降低了功耗,并提供了更大的
可靠性。
对于在高速存储器应用, ASI灵活性
提供芯片使能( CE \\ )和输出使能( OE \\ )的能力。
这些增强功能可将输出高-Z的额外
tional灵活的系统设计。写入这些设备是
有成就的时候写使能(WE | )和CE \\输入都
低。阅读时,我们会\\完成时保持高电平
CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计,以
实现低待机功耗要求。
为“L”版本提供一个近似50%的
减少的CMOS待机电流(I
SBC2
)在标准
版本。
从单一+ 5V电源供电的所有设备的操作
和所有输入和输出完全TTL兼容。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
•工作温度范围
工业级(-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事( -55℃至+ 125 ℃)
XT
• 2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
MT5C1001
2.1版06/05
1
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