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奥斯汀半导体公司
1M ×1的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-92316
• MIL -STD- 883
MT5C1001
有限
引脚分配
( TOP VIEW )
SRAM
28引脚DIP (C )
( 400 MIL )
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
A16
A17
A18
A19
Q
WE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
A3
A2
A1
A0
D
CE \\
32引脚LCC ( EC)
32引脚SOJ ( DCJ )
A10
A11
A12
NC
A13
A14
A15
NC
A16
A17
A18
A19
NC
Q
WE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
NC
A2
NC
A1
A0
D
CE \\
特点
高速:20, 25 ,35,和45
备用电池: 2V的数据保留
低功耗待机
+ 5V单电源( + 10 % )电源
轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项。
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
32引脚扁平封装(F )
选项
•时机
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
•包( S)
陶瓷DIP ( 400密耳)
陶瓷LCC
陶瓷扁平
陶瓷SOJ
记号
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
A10
A11
A12
NC
A13
A14
A15
NC
A16
A17
A18
A19
NC
Q
WE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
NC
A2
NC
A1
A0
D
CE \\
C
EC
F
DCJ
第109号
207号
303号
501号
概述
该MT5C1001采用低功耗,高性能
硅栅CMOS技术。静电设计,消除了
无需外部时钟或定时选通,而CMOS电路
降低了功耗,并提供了更大的
可靠性。
对于在高速存储器应用, ASI灵活性
提供芯片使能( CE \\ )和输出使能( OE \\ )的能力。
这些增强功能可将输出高-Z的额外
tional灵活的系统设计。写入这些设备是
有成就的时候写使能(WE | )和CE \\输入都
低。阅读时,我们会\\完成时保持高电平
CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计,以
实现低待机功耗要求。
为“L”版本提供一个近似50%的
减少的CMOS待机电流(I
SBC2
)在标准
版本。
从单一+ 5V电源供电的所有设备的操作
和所有输入和输出完全TTL兼容。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
•工作温度范围
工业级(-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事( -55℃至+ 125 ℃)
XT
• 2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
MT5C1001
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1
奥斯汀半导体公司
MT5C1001
有限
SRAM
功能框图
V
CC
VSS
A
6
A
5
行解码器
1,048,576-BIT
存储阵列
512行×2048
D
A
3
A
15
A
14
A
13
A
8
A
7
I / O控制
A
4
Q
CE \\
WE \\
动力
列解码器
A
2
A
1
A
16
A
0
A
17
A
18
A
19
A
10
A
9
A
12
A
11
真值表
模式
待机
CE \\
H
L
L
WE \\
X
H
L
产量
高-Z
Q
高-Z
动力
待机
活跃
活跃
引脚分配
A
0
-A
19
WE \\
CE \\
D
Q
NC
V
CC
V
SS
转让
地址输入
写使能
芯片使能
数据输入
数据输出
无连接
+ 5V电源
MT5C1001
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2
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
对任何输入相对于Vss ................................- 。 5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss ...............................- 。 5V至+ 7V电压
施加电压到Q .............................................. ..............- , 5V至+ 6V
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 20毫安
引线温度(焊接10秒) .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
MT5C1001
有限
SRAM
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
C
& LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平(逻辑1 )电压
输入低电平(逻辑0 )电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
2.2
-0.5
-5
-5
2.4
最大
VCC+0.5
0.8
5
5
0.4
单位
V
V
µA
µA
V
V
1
1
笔记
1
1, 2
0V
V
IN
VCC
输出(S )禁用
0V & LT ; V
OUT
& LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
参数
电源
当前位置:工作
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
(分钟)
输出开路
CE \\ > V
IH
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
(分钟)
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
& LT ; V
IH
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
& LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
& GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
符号
I
cc
-20
125
最大
-25
-35
120
115
-45
110
单位备注
mA
3
电源
电流:待机
I
SBT1
50
45
40
35
mA
I
SBT2
25
25
25
25
mA
I
SBC2
I
SBC2
10
5
10
5
10
5
10
5
mA
mA
电容
参数
输入电容( A3 - A5 , A15 -A17 )
输出Capactiance ( Q)
输入电容(所有其他输入)
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
条件
符号
C
I
Co
C
I
最大
10
8
8
单位
pF
pF
pF
笔记
4
4
4
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MT5C1001
有限
SRAM
电气特性和推荐AC工作条件
(注5 ) ( -55
o
Ç <牛逼
C
& LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
20
15
15
0
1
15
8
0
3
0
9
0
20
25
16
16
0
1
16
10
0
3
0
10
3
3
8
0
25
35
20
20
0
1
20
13
0
3
0
13
20
20
20
3
3
10
0
35
45
25
25
0
1
25
15
0
3
0
13
25
25
25
3
3
15
0
45
35
35
35
3
3
15
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
4
4
MT5C1001
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奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .......................................
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载..............................参见图1和图2
MT5C1001
有限
SRAM
167Ω
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167Ω
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
(GND)。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸,并且f =
1
赫兹。
t
RC ( MIN )
此参数是保证,但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ,除非另有说明。
t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用CL = 5pF的指定与图2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型,
4.
5.
6.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下,
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合,最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能( CE \\ )和写使能(WE \\)可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性(仅L型)
描述
V
CC
为保留数据
条件
CE \\ > (V
CC
- 0.2V)
V
IN
> (V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
符号
V
DR
I
CCDR
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
2
最大
--
1.0
1.5
单位
V
mA
mA
ns
笔记
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CDR
t
0
--
t
4
4, 11
R
RC
ns
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
& GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C1001
2.1版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
5
432
4321
4321
1
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
432
3216
87
432154321
321154321
87
876
422154321
321154321
4326
3316
87
987654321
4321
321
321
321
987654321
4321
4321
321
987654321
4321
987654321
不在乎
未定义
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MT5C1001F-20L/IT

1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY
16 AUSTIN

MT5C1001F-20L/XT

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14 icpdf_datashe

MT5C1001F-25/883C

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MT5C1001F-25/IT

1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY
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