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| TA8891N TA8696F AD5446 TA8720 TA8796N TC1278-5ENB TA8701AN TA8532F TA8845BN TA8667 | ||||||||||
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 SRAM 奥斯汀半导体公司 128K ×8 SRAM 与双芯片使能 作为军事 特定网络阳离子 • SMD 5962-89598 •MIL-STD-883 NC A16 A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DQ1 DQ2 DQ3 V SS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 MT5C1008 引脚分配 （ TOP VIEW ） 32引脚DIP （C ， CW ） 32引脚CSOJ （ SOJ ） 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 V CC A15 CE2 WE \\ A13 A8 A9 A11 OE \\ A10 CE \\ DQ8 DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 NC A16 A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DQ1 DQ2 DQ3 V SS 32引脚LCC （ EC） 32引脚SOJ （ DCJ ） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 V CC A15 CE2 WE \\ A13 A8 A9 A11 OE \\ A10 CE \\ DQ8 DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 特点 • • • • • • 高速： 12，15， 20，25， 35 ，45， 55和70纳秒 备用电池： 2V的数据保留 低功耗待机 高性能，低功耗的CMOS工艺 + 5V单电源（ + 10 ％ ）电源 易内存扩展与CE1 \\ ， CE2和OE \\ 选项。 •所有输入和输出为TTL兼容 32引脚LCC （ ECA ） 4 3 2 1 32 31 30 NC A16 A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DQ1 DQ2 DQ3 V SS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 V CC A15 CE2 WE \\ A13 A8 A9 A11 OE \\ A10 CE \\ DQ8 DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 选项 •时机 为12ns存取 15ns的访问 20ns的访问 25ns的访问 为35ns存取 为45nS接入 55ns存取 为70ns存取 •包（ S） • 陶瓷DIP （ 400密耳） 陶瓷DIP （ 600密耳） 陶瓷LCC 陶瓷LCC 陶瓷扁平 陶瓷SOJ 陶瓷SOJ • 2V数据保存/低功耗 记号 -12 （与工厂联系） -15 -20 -25 -35 -45 -55* -70* A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DQ1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 A12 A14 A10 6 NC V CC A15 CE2 32引脚扁平封装（F ） 29 28 27 26 25 24 23 22 21 WE \ A13 A8 A9 A11 OE \ A10 CE1 \ DQ8 14 15 16 17 18 19 20 DQ2 DQ3 V SS DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 概述 该MT5C1008 SRAM采用高速，低功耗 的CMOS设计，使用一个四晶体管存储器单元，并且是 采用双层金属双层多晶硅制造 技术。 对于设计的灵活性在高速存储器 应用，该器件提供了双芯片使（ CE1 \\ ， CE2 ） 和输出使能（OE \\）。这些控制引脚可以将 在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。 所有器件均采用+ 5V单电源供电，所有工作 输入和输出完全TTL兼容。 写入这些设备被实现时的写 使能（WE \\ ）和CE1 \\输入都是低电平和CE2为高电平。 当我们\\和CE2保持高读数完成和 CE1 \\和OE \\变为低电平。该器件提供了降低功耗 禁用时，允许系统设计，待机模式 实现低待机功耗要求。 在“L”版本提供了2V数据保存方式，重新 ducing消耗电流至1mA最大。 C CW EC ECA F DCJ SOJ L 111号 第112号 207号 208号 303号 501号 507号 *相同的那些规定的为45nS的电气特性 接入设备。 欲了解更多产品信息 请访问我们的网站： www.austinsemiconductor.com MT5C1008 修订版6.5 7/02 奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。 1
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