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BAP65-02  BAP63-03  BAP70AM  BAP64-02  BAP70AM  BAP70-04W  BAP51-02  BAP70-03  BAP63-02  BAP70-05  
MT5C1008SOJ-25L 与双芯片128K ×8 SRAM启用可作为军用规格 (128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS)
.型号:   MT5C1008SOJ-25L
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描述: 与双芯片128K ×8 SRAM启用可作为军用规格
128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS
文件大小 :   185 K    
页数 : 17 页
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品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
与双芯片使能
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-89598
•MIL-STD-883
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
MT5C1008
引脚分配
( TOP VIEW )
32引脚DIP (C , CW )
32引脚CSOJ ( SOJ )
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
32引脚LCC ( EC)
32引脚SOJ ( DCJ )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
特点
高速: 12,15, 20,25, 35 ,45, 55和70纳秒
备用电池: 2V的数据保留
低功耗待机
高性能,低功耗的CMOS工艺
+ 5V单电源( + 10 % )电源
易内存扩展与CE1 \\ , CE2和OE \\
选项。
•所有输入和输出为TTL兼容
32引脚LCC ( ECA )
4 3 2 1 32 31 30
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
选项
•时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
•包( S) •
陶瓷DIP ( 400密耳)
陶瓷DIP ( 600密耳)
陶瓷LCC
陶瓷LCC
陶瓷扁平
陶瓷SOJ
陶瓷SOJ
• 2V数据保存/低功耗
记号
-12 (与工厂联系)
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A12
A14
A10
6
NC
V
CC
A15
CE2
32引脚扁平封装(F )
29
28
27
26
25
24
23
22
21
WE
\
A13
A8
A9
A11
OE
\
A10
CE1
\
DQ8
14 15 16 17 18 19 20
DQ2
DQ3
V
SS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
概述
该MT5C1008 SRAM采用高速,低功耗
的CMOS设计,使用一个四晶体管存储器单元,并且是
采用双层金属双层多晶硅制造
技术。
对于设计的灵活性在高速存储器
应用,该器件提供了双芯片使( CE1 \\ , CE2 )
和输出使能(OE \\)。这些控制引脚可以将
在高阻抗输出,在系统设计中更多的灵活性。
所有器件均采用+ 5V单电源供电,所有工作
输入和输出完全TTL兼容。
写入这些设备被实现时的写
使能(WE \\ )和CE1 \\输入都是低电平和CE2为高电平。
当我们\\和CE2保持高读数完成和
CE1 \\和OE \\变为低电平。该器件提供了降低功耗
禁用时,允许系统设计,待机模式
实现低待机功耗要求。
在“L”版本提供了2V数据保存方式,重新
ducing消耗电流至1mA最大。
C
CW
EC
ECA
F
DCJ
SOJ
L
111号
第112号
207号
208号
303号
501号
507号
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
MT5C1008
修订版6.5 7/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
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