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![]() SRAM 奥斯汀半导体公司 128K ×8 SRAM 随着芯片& OUTPUT ENABLE 作为军事 特定网络阳离子 • SMD 5962-89598 •MIL-STD-883 NC A16 A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DQ1 DQ2 DQ3 V SS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 MT5C1009 引脚分配 ( TOP VIEW ) 32引脚DIP (C , CW ) 32引脚SOJ ( SOJ ) 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 V CC A15 CE2 NC WE \\ A13 A8 A9 A11 OE \\ A10 CE \\ DQ8 DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 NC A16 A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DQ1 DQ2 DQ3 V SS 32引脚LCC ( EC) 32引脚SOJ ( DCJ ) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 V CC A15 CE2 NC WE \\ A13 A8 A9 A11 OE \\ A10 CE \\ DQ8 DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 特点 • • • • • • • 访问次数: 15 , 20 , 25 , 35 , 45 , 55和70纳秒 备用电池: 2V的数据保留 低功耗待机 高性能,低功耗的CMOS工艺 + 5V单电源( + 10 % )电源 轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项。 所有的输入和输出为TTL兼容 32引脚LCC ( ECA ) 4 3 2 1 32 31 30 NC A16 A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DQ1 DQ2 DQ3 V SS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 V CC A15 CE2 NC WE \\ A13 A8 A9 A11 OE \\ A10 CE \\ DQ8 DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 选项 •时机 15ns的访问 20ns的访问 25ns的访问 为35ns存取 为45nS接入 55ns存取 为70ns存取 •包( S) • 陶瓷DIP ( 400密耳) 陶瓷DIP ( 600密耳) 陶瓷LCC 陶瓷LCC 陶瓷扁平 陶瓷SOJ 陶瓷SOJ • 2V数据保存/低功耗 记号 -15 -20 -25 -35 -45 -55* -70* A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DQ1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 A12 A14 A10 6 NC V CC A15 CE2 NC 32引脚扁平封装(F ) 29 28 27 26 25 24 23 22 21 WE \ A13 A8 A9 A11 OE \ A10 CE1 \ DQ8 14 15 16 17 18 19 20 DQ2 DQ3 V SS DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 概述 C CW EC ECA F DCJ SOJ L 111号 第112号 207号 208号 303号 501号 507号 该MT5C1009是1,048,576位高速CMOS 静态RAM由8位, 131,072字。该装置 使用8个通用输入和输出线路,并具有输出烯 能引脚,在快过地址的访问时间操作 读周期。 对于设计的灵活性在高速存储器 应用,该器件提供芯片使能( CE \\ )和输出 启用( OE \\ )功能。这些增强功能可将输出 把高-Z在系统设计的灵活性。 写入这些设备被实现时的写 使能(WE \\ )和CE \\输入都是低电平。阅读是accom- 当我们\\ plished居高不下, CE \\和OE \\变为低电平。 该器件提供了低功率待机模式时显示 禁止时,允许系统设计,实现超低待机功耗 要求。 在“L”版本提供了2V数据保存方式,重新 ducing电流消耗为2mW最大。 所有器件均采用+ 5V单电源供电 和所有输入和输出完全TTL兼容。这是标准杆 ticularly非常适合于高密度,高速系统使用 应用程序。 *相同的那些规定的为45nS的电气特性 接入设备。 欲了解更多产品信息 请访问我们的网站: www.austinsemiconductor.com MT5C1009 修订版5.5 8月1日 奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。 1
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