SRAM

奥斯汀半导体公司

128K ×8 SRAM

随着芯片& OUTPUT ENABLE

作为军事

特定网络阳离子

• SMD 5962-89598

•MIL-STD-883

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ1

DQ2

DQ3

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

MT5C1009

引脚分配

（ TOP VIEW ）

32引脚DIP （C ， CW ）

32引脚SOJ （ SOJ ）

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

CC

A15

CE2

NC

WE \\

A13

A8

A9

A11

OE \\

A10

CE \\

DQ8

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ1

DQ2

DQ3

V

SS

32引脚LCC （ EC）

32引脚SOJ （ DCJ ）

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

CC

A15

CE2

NC

WE \\

A13

A8

A9

A11

OE \\

A10

CE \\

DQ8

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

特点

•

•

•

•

•

•

•

访问次数： 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55和70纳秒

备用电池： 2V的数据保留

低功耗待机

高性能，低功耗的CMOS工艺

+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源

轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项。

所有的输入和输出为TTL兼容

32引脚LCC （ ECA ）

4 3 2 1 32 31 30

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ1

DQ2

DQ3

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

CC

A15

CE2

NC

WE \\

A13

A8

A9

A11

OE \\

A10

CE \\

DQ8

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

选项

•时机

15ns的访问

20ns的访问

25ns的访问

为35ns存取

为45nS接入

55ns存取

为70ns存取

•包（ S） •

陶瓷DIP （ 400密耳）

陶瓷DIP （ 600密耳）

陶瓷LCC

陶瓷LCC

陶瓷扁平

陶瓷SOJ

陶瓷SOJ

• 2V数据保存/低功耗

记号

-15

-20

-25

-35

-45

-55*

-70*

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ1

5

6

7

8

9

10

11

12

13

A12

A14

A10

6

NC

V

CC

A15

CE2

NC

32引脚扁平封装（F ）

29

28

27

26

25

24

23

22

21

WE

\

A13

A8

A9

A11

OE

\

A10

CE1

\

DQ8

14 15 16 17 18 19 20

DQ2

DQ3

V

SS

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

概述

C

CW

EC

ECA

F

DCJ

SOJ

L

111号

第112号

207号

208号

303号

501号

507号

该MT5C1009是1,048,576位高速CMOS

静态RAM由8位， 131,072字。该装置

使用8个通用输入和输出线路，并具有输出烯

能引脚，在快过地址的访问时间操作

读周期。

对于设计的灵活性在高速存储器

应用，该器件提供芯片使能（ CE \\ ）和输出

启用（ OE \\ ）功能。这些增强功能可将输出

把高-Z在系统设计的灵活性。

写入这些设备被实现时的写

使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-

当我们\\ plished居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。

该器件提供了低功率待机模式时显示

禁止时，允许系统设计，实现超低待机功耗

要求。

在“L”版本提供了2V数据保存方式，重新

ducing电流消耗为2mW最大。

所有器件均采用+ 5V单电源供电

和所有输入和输出完全TTL兼容。这是标准杆

ticularly非常适合于高密度，高速系统使用

应用程序。

*相同的那些规定的为45nS的电气特性

接入设备。

欲了解更多产品信息

请访问我们的网站：

www.austinsemiconductor.com

MT5C1009

修订版5.5 8月1日

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

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