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![]() SRAM 奥斯汀半导体公司 +5V AC测试条件 输入脉冲电平................................... VSS至3.0V 输入上升和下降时间为5ns ....................................... 输入时序参考电平1.5V ............................. 输出参考电平1.5V ..................................... 输出负载..............................参见图1和图2 MT5C1009 +5V 480 480 Q 255 5 pF的 Q 255 30 图。 1输出负载 当量 图。 2输出负载 当量 笔记 1. 2. 3. 参考V所有电压 SS (GND)。 -2V脉冲宽度为20ns < I CC 依赖于输出负载和循环率。 指定的值适用于与输出 卸,并且f = 1 赫兹。 t RC ( MIN ) 此参数是保证,但未经测试。 试验条件与输出负载指定 如示于图1 ,除非另有说明。 t LZCE , t LZWE , t LZOE , t HZCE , t HZOE和 t HZWE 用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡 测量± 200mV的自稳态电压典型, 允许实际测试器的RC时间常数。 7. 4. 5. 6. 在任何给定的温度和电压条件下, t HZCE小于 t LZCE和 t HZWE小于 t LZWE和 t HZOE小于 t LZOE 。 8.我们\\是高读周期。 9.设备不断选择。芯片使能和 输出使他们的活动状态被保持。 10.地址有效之前或重合,最新 发生芯片使能。 11. t RC =读周期时间。 数据保留电气特性(仅L型) 描述 V CC 为保留数据 数据保持电流 芯片取消到数据 保留时间 手术恢复时间 *低功耗, -20设备只 条件 CE \\ > (V CC - 0.2V) V IN > (V CC - 0.2V) 或< 0.2V V CC = 2V 符号 V DR I CCDR1 * I CCDR2 t CDR t R 民 2 最大 --- 0.75 1.0 单位备注 V mA mA ns ns 4 4, 11 0 t RC --- VCC低于数据保存波形 V CC t CDR 数据保持方式 4.5V V DR & GT ; 2V 4.5V t R V DR CE1\ MT5C1009 修订版5.5 8月1日 奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。 5 4321 4321 4321 4321 V IH V IL 321 21 321 321 3 321 87 4326 321654321 87 421154321 332154321 326 87 421154321 321154321 87 4876 3326 987654321 4321 321 321 987654321 321 987654321 4321 4321 987654321 987654321 321 不在乎 未定义
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