BLVP304 [BELLING]
BLVP304;型号: | BLVP304 |
厂家: | BELLING |
描述: | BLVP304 |
文件: | 总2页 (文件大小:96K) |
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BLVP304
P沟纵向MOSFET
描述:
P沟增强型VDMOS,高速开关,无二次击穿
产品应用:
ꢀ
ꢀ
ꢀ
电话机电路
继电器电路
驱动电路等
工作条件 (T=25℃)
参数
符号
极限值
-300
+ 20
-170
1
单位
VDSS
VGSS
ID
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
V
mA
PD
Power Dissipation for Dual Operation
W
Tj, TSDG 结温度和存储温度
-55 to +150
oC
热特性
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Ambient
125
K/W
电学特性(TA=25oC)
符号
参数
测试条件
最小 典型 最大
单位
V
BVDSS
VGS = 0V
,
ID = −10uA
VDS = −240V VGS = 0V
VGS = ±20V
VDS = VGS
源漏击穿电压
零栅压时的漏极电流
栅和衬底之间的漏电流
阈值电压
-300
-
-
-
IDSS
,
-
-
-100
+100
-2.55
18
nA
nA
V
IGSS
,
VDS = 0V
-
VGS (th)
RDS (on)
,
ID = −1mA
-1.7
-
-
-
VGS = −10V ,ID = −170mA
导通电阻
Ω
http://www.belling.com.cn
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8/18/2006
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BLVP304
交流特性
Ciss
输入电容
输出电容
反馈电容
-
-
-
60
15
5
90
30
15
pF
pF
pF
VDS=-25V,VGS=0V
F= 1MHz
Coss
Crss
开关特性
ton
Turn-On时间
Turn-Off时间
VDD=-50V, ID=-250mA
VGS=0 to -10V
-
-
5
10
30
nS
ns
toff
15
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