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BCL016B 超低噪声PHEMT芯片 (SUPER LOW NOISE PHEMT CHIP)
.型号:   BCL016B
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描述: 超低噪声PHEMT芯片
SUPER LOW NOISE PHEMT CHIP
文件大小 :   596 K    
页数 : 5 页
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品牌   BEREX [ BEREX CORPORATION ]
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100%
BCL016B
超低噪声PHEMT芯片( .15μm X 160μm )
该BeRex BCL016B是GaAs超低噪声pHEMT的标称0.15微米的栅极长度和160微米的栅
宽度因而非常适合于要求低噪声和高增益相关应用产品,在
高达40千兆赫的频率。该BCL016B提供高插入增益和低噪声系数对宽带
应用程序。该BCL016B使用本领域的金属化用的SI的状态产生
3
N
4
钝化和过筛以
确保可靠性
产品特点
低0.4分贝典型噪声系数@ 12 GHz的
高13.5分贝典型相关增益@ 12 GHz的
高P
in
高达20dBm的
0.15 ×160微米嵌入式门
应用
广告
军事/高可靠性。
测试测量&
电气特性(T
a
= 25° C
)
符号
NF
G
A
P1dB
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
参数/测试条件
噪声系数(VDS = 2V ,ID = 10毫安)
相关联的增益(的Vds = 2V ,编号= 10毫安)
输出功率P1dB为@ (VDS = 2V ,ID = 10毫安)
饱和漏极电流( VGS = 0V , VDS = 2V )
跨导(VDS = 2V , VGS = -0.3V )
夹断电压(VDS = 2V ,ID = 200μA )
TEST
频率。
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
分钟。
典型
0.4
0.6
马克斯。
单位
dB
dB
DBM
mA
mS
V
V
V
° C / W
12.5
10.5
13
13.5
11.5
14.5
50
120
-0.7
9
6
270
栅漏击穿电压,球蛋白(Ig = -200 μA ,源开)
栅源击穿电压,球蛋白(Ig = -200 μA ,开漏)
热阻,结到背面
(的Au-Sn共晶附在后面)
www.berex.com
BeRex ,公司1735北1街# 302圣何塞,加利福尼亚95112电话: ( 408 ) 452-5595 ; F: ( 408 ) 452-5596 2012年11月
规格若有变更,恕不另行通知。 © 2012 BeRex
修订版1.7
st
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