元器件型号: | TISP61521DR-S |
生产厂家: | BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS |
描述和应用: | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS |
PDF文件: | 总11页 (文件大小:199K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:TISP61521DR-S参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | BOURNS INC |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
Factory Lead Time | 7 weeks |
风险等级 | 0.9 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.9 mm |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
表面贴装 | YES |
电信集成电路类型 | SURGE PROTECTION CIRCUIT |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3.905 mm |
Base Number Matches | 1 |
DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护