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PL
IA
NT
特点
符合RoHS指令*
表面贴装SMB封装
断态电压: 5.0〜 170伏
功耗: 600瓦特
应用
IEC 61000-4-2 ESD (最小4级)
IEC 61000-4-4 EFT
IEC 61000-4-5浪涌
*R
oH
S
CO
M
SMBJ瞬态电压抑制二极管系列
一般信息
移动通信,计算机和视频设备的市场正在挑战半导体行业发展
越来越小的电子元件。
商Bourns提供瞬态电压抑制二极管的浪涌和ESD保护应用中,紧凑型芯片封装DO- 214AA ( SMB )
大小格式。瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压的选择,从5 V至170 V和击穿
电压高达200V。典型的快速响应时间小于1.0纳秒为单向器件和小于5.0纳秒为双向设备
从0 V至最小击穿电压。
BOURNS
®
二极管芯片符合JEDEC标准,易于操作与标准拾放设备和FL在CON组fi guration
最大限度地减少滚远。
电气特性( @ T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最低峰值脉冲功率耗散( TP = 1毫秒)
(注1,2 )
峰值正向浪涌电流
8.3 ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
(注3)
稳态功耗@ TL = 75℃
最大正向电压@ I
PP
= 50 A
(单向单位只)
工作温度范围
存储温度范围
1.
2.
3.
4.
5.
符号
P
PK
I
FSM
P
M( AV)在
V
F
T
J
T
英镑
价值
600
100
5.0
(注5 )
单位
安培
°C
°C
-55到+150
-55到+175
非重复性电流脉冲,每个脉冲的波形图和上面的每一个脉冲降额曲线TA = 25°C降额。
热阻结到铅。
8.3 ms单半正弦波占空比= 4最高每分钟脉冲数(仅单向单位) 。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载,减免电流20 % 。
V
F
= 3.5 V的SMBJ5.0A通过SMBJ90A和V
F
= 5.0 V通过SMBJ170A SMBJ100A 。
如何订购
SMBJ 5.0 CA
SMBJ = SMA / DO- 214AA
工作峰值反向电压
5.0 = 5.0 VRWM (伏特)
SUF科幻X
A = 5%的容差单向设备
CA = 5%的容差双向设备
亚洲 - 太平洋网络C:
电话: + 886-2 2562-4117 •传真: + 886-2 2562-4116
欧洲:
电话: + 41-41 768 5555 •传真: + 41-41 768 5510
美洲:
电话: + 1-951 781-5500 •传真: + 1-951 781-5700
www.bourns.com
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日,包括附件。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
SMBJ瞬态电压抑制二极管系列
电气特性( @ T
A
= 25 ° C除非另有说明)
击穿电压
V
BR
(伏)
分钟。
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
60
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
86.7
94.4
100
111
122
133
144
167
178
189
单向装置
部分
部分
记号
双向设备
部分
部分
记号
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
(伏)
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
78
85
90
100
110
120
130
150
160
170
最大
反向
泄漏
@ V
RWM
I
R
(μA)
800
800
500
200
100
50
20
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
反向
电压
@ I
RSM
最大
反向
浪涌
当前
马克斯。
7.25
7.67
8.30
8.95
9.58
10.2
10.8
11.5
12.8
14.4
15.3
16.5
17.9
19.2
20.5
21.7
23.3
25.5
28.0
30.7
32.2
35.8
38.3
42.2
46.0
51.1
54.9
57.5
61.3
65.2
69
74.6
76.7
81.8
89.5
95.8
99.7
109
116
128
140
153
165
192
205
218
@ I
T
(MA )
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
RSM
(伏特)I
RSM
(安培)
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
126
137
146
162
177
193
209
243
259
275
65.2
58.3
53.6
50.0
46.5
44.1
41.7
39.0
35.3
33.0
30.2
27.9
25.8
24.0
23.1
21.7
20.5
18.5
16.9
15.4
14.2
13.2
12.4
11.3
10.3
9.3
8.6
8.3
7.7
7.3
6.9
6.4
6.2
5.8
5.3
4.9
4.7
4.4
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.2
SMBJ5.0A
KE
SMBJ5.0CA
AE
SMBJ6.0A
KG
SMBJ6.0CA
AG
SMBJ6.5A
KK
SMBJ6.5CA
AK
SMBJ7.0A
KM
SMBJ7.0CA
AM
SMBJ7.5A
KP
SMBJ7.5CA
AP
SMBJ8.0A
KR
SMBJ8.0CA
AR
SMBJ8.5A
KT
SMBJ8.5CA
AT
SMBJ9.0A
KV
SMBJ9.0CA
AV
SMBJ10A
KX
SMBJ10CA
AX
SMBJ11A
KZ
SMBJ11CA
AZ
SMBJ12A
LE
SMBJ12CA
BE
SMBJ13A
LG
SMBJ13CA
BG
SMBJ14A
LK
SMBJ14CA
BK
SMBJ15A
LM
SMBJ15CA
BM
SMBJ16A
LP
SMBJ16CA
BP
SMBJ17A
LR
SMBJ17CA
BR
SMBJ18A
LT
SMBJ18CA
BT
SMBJ20A
LV
SMBJ20CA
BV
SMBJ22A
LX
SMBJ22CA
BX
SMBJ24A
LZ
SMBJ24CA
BZ
SMBJ26A
ME
SMBJ26CA
CE
SMBJ28A
MG
SMBJ28CA
CG
SMBJ30A
MK
SMBJ30CA
CK
SMBJ33A
MM
SMBJ33CA
CM
SMBJ36A
MP
SMBJ36CA
CP
SMBJ40A
MR
SMBJ40CA
CR
SMBJ43A
MT
SMBJ43CA
CT
SMBJ45A
MV
SMBJ45CA
CV
SMBJ48A
MX
SMBJ48CA
CX
SMBJ51A
MZ
SMBJ51CA
CZ
SMBJ54A
NE
SMBJ54CA
DE
SMBJ58A
NG
SMBJ58CA
DG
SMBJ60A
NK
SMBJ60CA
DK
SMBJ64A
NM
SMBJ64CA
DM
SMBJ70A
NP
SMBJ70CA
DP
SMBJ75A
NR
SMBJ75CA
DR
SMBJ78A
NT
SMBJ78CA
DT
SMBJ85A
NV
SMBJ85CA
DV
SMBJ90A
NX
SMBJ90CA
DX
SMBJ100A
NZ
SMBJ100CA
DZ
SMBJ110A
PE
SMBJ110CA
EE
SMBJ120A
PG
SMBJ120CA
EG
SMBJ130A
PK
SMBJ130CA
EK
SMBJ150A
PM
SMBJ150CA
EM
SMBJ160A
PP
SMBJ160CA
EP
SMBJ170A
PR
SMBJ170CA
ER
注意事项:
1. SUF网络连接X “A”表示5 %的容差单向装置。
2. SUF科幻X “CA”表示5 %的容差双向设备。
3.对于与V双向器件
R
的10伏或更小,则我
R
极限的两倍。
4.对于带V单向设备
F
最大。 3.5 V电压的I
F
35 A的, 0.5正弦
8.3毫秒波脉冲宽度。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
SMBJ瞬态电压抑制二极管系列
产品外形尺寸
A
推荐足迹
A
B
C
B
C
G
A( MAX 。 )
H
F
E
D
B(最小)
C(最小)
A
B
C
D
E
F
G
H
SMB ( DO- 214AA )
4.06 - 4.57
(0.160 - 0.180)
3.30 - 3.94
(0.130 - 0.155)
1.96 - 2.21
(0.077 - 0.087)
0.15 - 0.31
(0.006 - 0.112)
5.21 - 5.59
(0.205 - 0.220)
0.05 - 0.20
(0.002 - 0.008)
2.01 - 2.62
(0.080 - 0.103)
0.76 - 1.52
(0.030 - 0.060)
MM
(英寸)
SMB ( DO- 214AA )
2.69
(0.106)
2.10
(0.083)
1.27
(0.050)
MM
(英寸)
尺寸:
身体特定网络阳离子
情况..........................................符合UL类94V-模压塑料0
极性.....................阴极带指示单向装置
无阴极频带表示双向设备
重量................................................. .0.003盎司/ 0.093克
尺寸:
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
SMBJ瞬态电压抑制二极管系列
评级&特性曲线
脉冲降额曲线
100
在%的峰值脉冲降额
峰值功率或电流
最大不重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流(安培)
120
100
80
60
40
20
0
脉宽8.3毫秒
单一正弦半波
( JEDEC的方法)
1
2
5
10
20
50
100
75
50
25
10 ×1000波形定义
通过R.E.A.
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
环境温度( ℃)
循环次数在60赫兹
脉冲波形
TR = 10微秒
100
IP ,峰值脉冲电流( % )
峰值( IRSM )
半值=
IRSM
2
脉冲宽度(TP)
被定义为点
在峰值电流
衰减到IPSM的50%。
TA = 25℃
TP
10× 1000波形
界定的R.E.A.
典型结电容
10000
TA = 25℃
单向
电容(pF)
1000
双向
50
100
0
0
1.0
2.0
吨,时间( ms)的
3.0
4.0
0
0
10
100
断态电压(伏特)
1000
脉冲额定值曲线
100
TA = 25℃
不重复
脉冲波形
所示的脉冲波形图
稳态功率降额曲线
5.0
RM ( AV)稳态功耗( W)
4.0
PP ,峰值功率(kw )
10
3.0
2.0
1.0
5.0毫米引导区
1.0
60赫兹电阻或
感性负载
0.0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TL ,焊接温度( ° C)
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
0.1
0.1 µs
1.0 µs
10 µs
100 µs
1.0毫秒
10毫秒
总磷,脉冲宽度
CDDFN5-0504N - 电压抑制二极管系列
SMBJ瞬态TVS /转向二极管阵列
包装信息
该产品将在磁带和卷轴形式进行分配(参见下图) 。
P
0
P
1
d
E
指数洞
T
120 °
F
W
B
D2
D1 D
P
拖车
A
设备
C
利达
结束
.......
.......
10球场(分钟)
.......
.......
.......
.......
.......
.......
10球场(分钟)
W1
开始
尺寸:
MM
(英寸)
进给方向
装置是装在符合EIA标准
RS - 481 -A和特异性阳离子这里显示。
载波宽度
载体长度
运营商深度
链轮孔
卷筒外径
卷内径
饲料孔直径
定位孔位置
打孔的位置
打孔节距
链轮孔间距
浮雕中心
总体胶带厚度
胶带宽度
卷筒宽度
QUANTITY每卷
符号
A
B
C
d
D
D1
D2
E
F
P
P0
P1
T
W
W1
--
SMB ( DO- 214AA )
4.94 ± 0.10
(0.194 - 0.004)
5.57 ± 0.10
(0.210 ± 0.004)
2.36 ± 0.10
(0.093 ± 0.004)
1.55 ± 0.05
(0.061 ± 0.002)
330
(12.992)
50.0
分钟。
(1.969)
13.0 ± 0.20
(0.512 ± 0.008)
1.75 ± 0.10
(0.069 ± 0.004)
5.50 ± 0.05
(0.217 ± 0.002)
4.00 ± 0.10
(0.157 ± 0.004)
4.00 ± 0.10
(0.157 ± 0.004)
2.00 ± 0.05
(0.079 ± 0.002)
0.30 ± 0.10
(0.012 ± 0.004)
12.00 ± 0.20
(0.472 ± 0.008)
18.4
马克斯。
(0.724)
3,000
02/10
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
相关元器件产品Datasheet PDF文档

SMBJ6.5CA/TR

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2
暂无信息
0 MICROSEMI

SMBJ6.5CA/TR7

Trans Voltage Suppressor Diode,
0 YAGEO

SMBJ6.5CA-13

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
0 DIODES

SMBJ6.5CA-13-F

600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
98 DIODES

SMBJ6.5CAE3

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
0 MICROSEMI

SMBJ6.5CA-E3

DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN, Transient Suppressor
0 VISHAY