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HMD8M32F4E  TCFGA0J475M  TCFGB0G226K  TCFGA1C105M  TCFGA1C335K  HMD8M32F4E-6  D8NA3Y4  TCFGB0G156K  M2033D8QCN  TCFGA1A106M8R  
BS616LV2017ACG55 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616LV2017ACG55
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   262 K    
页数 : 9 页
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品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
BSI
引脚说明
BS616LV2017
名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时,数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活,取消选择器件,是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态,当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择,当WE为高电平和OE为低电平时,输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平,在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态,该芯片是
选择并允许写入的是不活动的,数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时, OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
真值表
模式
未选择
(断电)
输出禁用
CE
H
X
L
L
L
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
L
LB
X
H
H
X
L
H
L
L
L
L
X
H
L
UB
X
H
H
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
R0201-BS616LV2017
2
修订版1.1
一月
2004
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