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描述:
FP25R12KT4_B15  FP30R06YE3  FP30R06W1E3_B11  FP25R12KT4  FP25R12U1T4  FP30R06KE3  
BS616LV2017ACG55 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616LV2017ACG55
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   262 K    
页数 : 9 页
Logo:   
品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
BS616LV2017
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
( TA = 25
o
C,F = 1.0兆赫)
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证,而不是100 %测试。
DC电气特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
参数
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
测试条件
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
VCC =最大,V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大, CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大,我
OL
= 2.0毫安
VCC =最小,我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安, F =最大频率
(3)
CE = V
IH
I
DQ
= 0毫安
CE
V
cc
-0.2
V
,
V
IN
≧V
cc
-0.2
V
or
V
IN
≦0.2
V
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
V
cc
=5.0V
70ns
55ns
分钟。
-0.5
2.2
--
--
--
2.4
--
典型值。
(1)
马克斯。
--
--
--
--
--
--
--
0.8
V
cc
+0.3
1
1
0.4
--
55
62
1.0
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
I
CCSB
I
CCSB1
(4)
VCC = 5.0V
--
--
mA
待机电流CMOS
VCC = 5.0V
--
1.0
30
uA
1.
典型的特征是在T
A
= 25
o
C.
2.
这些是相对于设备接地的绝对值,并且由于系统或测试人员通知中包括的所有过冲。
4.I
CCS
B1_Max.
是为10uA在Vcc = 5.0V和T
A
=70
o
C.
3.
的fmax = 1 /吨
RC
.
o
C.
5.
ICC
=最大。
是60毫安( @ 55ns ) / 53毫安( @为70ns )在Vcc = 5.0和T
A
=0~70
数据保持特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
VCC - 0.2V ,
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
CE
VCC - 0.2V ,
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
T
RC (2)
典型值。
(1)
--
0.1
--
--
马克斯。
--
1.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
1.
VCC = 1.5V ,T
A
= + 25
O
C
3.
ICC
DR_MAX 。
为0.7uA在T
A
=70
o
C.
R0201-BS616LV2017
2.
t
RC
=读周期时间
3
修订版1.1
一月
2004
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