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型号:  
描述:
LC90  MVTX2602  NAT9914BPL  LC10  MBS40  MRF6S21100HSR3  MC100EPT20DR2  MPC7455  LC90A  MMSD4148T1  
BS616LV2017ACG55 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616LV2017ACG55
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   262 K    
页数 : 9 页
Logo:   
品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
BSI
低V
CC
数据保存波形( CE控制)
数据保持方式
BS616LV2017
V
DR
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意:
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
变化
从H到L
变化
以L至H
变化:
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
,
AC电气特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
周期时间: 55ns
( VCC = 4.5 〜 5.5V )
周期:为70ns
( VCC = 4.5 〜 5.5V )
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。典型值。马克斯。
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
E1LQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
55
--
( CE)
( LB , UB )
( CE)
( LB , UB )
( CE)
( LB , UB )
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
30
30
--
--
--
30
30
25
--
70
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
注意:
1. t
BA
是为30ns / 35ns的( @速度= 55ns / 70ns的)与地址切换。 ;吨
BA
为55ns / 70ns的( @速度= 55ns / 70ns的)没有地址切换。
R0201-BS616LV2017
4
修订版1.1
一月
2004
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