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SN54HC259W  SN54HC273  SN54HC32_09  SN54HC273J  SN54HC273_09  SN54HC32J  SN54HC32  
BS616LV2017ACG55 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616LV2017ACG55
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   262 K    
页数 : 9 页
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品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
BSI
开关波形(读周期)
读CYCLE1
(1,2,4)
BS616LV2017
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE
t
ACS
t
BA
LB , UB
t
BE
D
OUT
t
(5)
CLZ
t
BDO
t
CHZ
(5)
读CYCLE3
(1,4)
t
RC
地址
t
OE
AA
t
OE
CE
t
OH
t
OLZ
t
(5)
CLZ
t
ACS
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ
t
BA
LB , UB
t
BE
D
OUT
注意事项:
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE = V
IL
.
3.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
4. OE = V
IL
.
5.参数是保证,但不是100 %测试。
t
BDO
R0201-BS616LV2017
5
修订版1.1
一月
2004
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