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BS616LV2017ACG55 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616LV2017ACG55
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   262 K    
页数 : 9 页
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品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
BSI
AC电气特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
写周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
日期字节控制来写结束
写在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
周期时间: 55ns
( VCC = 4.5 〜 5.5V )
BS616LV2017
周期:为70ns
( VCC = 4.5 〜 5.5V )
分钟。典型值。马克斯。
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
BW
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHOX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
BW
(1)
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
55
( CE)
55
0
55
30
( CE , WE)
( LB , UB )
0
25
--
25
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
70
70
0
70
35
0
30
--
30
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
注意:
1. t
BW
为25ns / 30ns的( @速度= 55ns / 70ns的)与地址切换。 ;吨
BW
为55ns / 70ns的( @速度= 55ns / 70ns的)没有地址切换。
开关波形(写周期)
写CYCLE1
(1)
t
WC
地址
t
WR
OE
(3)
t
CW
CE
(5)
(11)
t
BW
LB , UB
t
AW
WE
(3)
t
AS
(4,10)
t
WP
(2)
t
OHZ
D
OUT
t
t
DW
DH
D
IN
R0201-BS616LV2017
6
修订版1.1
一月
2004
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