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BS616LV2017ACG55 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616LV2017ACG55
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   262 K    
页数 : 9 页
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品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
BSI
WRITE循环2
(1,6)
BS616LV2017
t
WC
地址
t
CW
CE
(5)
(11)
t
BW
LB , UB
t
AW
WE
t
WR
t
WP
(2)
(3)
t
AS
(4,10)
t
WHZ
D
OUT
t
t
DW
t
OW
(7)
(8)
DH
(8,9)
D
IN
注意事项:
1.我们必须在地址转换高。
2.存储器的内部写入时间由CE的重叠定义和WE低。所有信号
必须主动发起写的任何一个信号可以通过将非活动结束写入。
的数据输入的设置和保持时间应参考的第二过渡边缘
因此终止了写入的信号。
3. T
WR
从CE的早期测定或WE变高,在写周期的结束。
4.在这期间, DQ引脚处于输出状态,使反相器的输入信号
到输出必须不被应用。
5.如果同时出现在我们的负跳变或WE之后, CE低过渡
过渡,输出保持在高阻抗状态。
6. OE连续低( OE = V
IL
).
7. D
OUT
是这个写周期写入数据的相位相同。
8. D
OUT
是下一个地址的读数据。
9.如果CE为低,在此期间, DQ引脚的输出状态。的,则数据输入信号
相位相反的输出不能被应用于它们。
10.参数是保证,但不是100 %测试。
11. T
CW
从CE后期会低到写结束时开始算起。
R0201-BS616LV2017
7
修订版1.1
一月
2004
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