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MV26V2AG-R  MV25T2AD-R  MV28V1CG-R  MV26V2AD  MV25T2CG  MV25T1CG  MV28V2CG-R  MV25T1CD  MV26T2CG  MV26V1CD-R  
BS616LV2017ACG55 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616LV2017ACG55
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   262 K    
页数 : 9 页
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品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
BSI
订购信息
BS616LV2017
YY
速度
55 : 55ns
70 :为70ns
PKG材料
- :正常
G:绿
P:无铅
GRADE
C: +0
o
C ~ +70
o
C
I: -40
o
C ~ +85
o
C
E: TSOP2-44
答: BGA - 48-0608
D: DICE
BS616LV2017
X X
Z
注意:
BSI (百联半导体公司)承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI并未授权其产品
对于使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期会导致显著的伤害或死亡,其中包括生命支持的应用程序
系统和关键医疗器械。
包装尺寸
注意事项:
1:控制尺寸以毫米为单位。
2 : PIN # 1点阵打标用激光或移印。
3 : SYMBOL "N" IS焊球的数量。
1.4最大。
球间距E = 0.75
D
8.0
E
6.0
N
48
D1
5.25
E1
3.75
D1
e
视图A
48微型BGA (6× 8)的
R0201-BS616LV2017
E1
8
修订版1.1
一月
2004
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