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描述:
28C64AT-25I/L  28C64AT-25I/SO  CFPT-9028CA1B  28C64AT-25/L  28C64AT-20/P  28C64AT-25/P  28C64AT-20I/L  V48SR2R520NRFA  P6SMBJ28CA-T3  V48SR1R225PNFA  
BS616LV2017ACG70 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616LV2017ACG70
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   262 K    
页数 : 9 页
Logo:   
品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
BS616LV2017
•的Vcc工作电压: 4.5V 〜 5.5V
•极低的功耗:
VCC = 5.0V C-等级: 60毫安( @ 55ns )工作电流
我优级: 62毫安( @ 55ns )工作电流
C-等级: 53毫安( @为70ns )工作电流
我优级: 55毫安( @为70ns )工作电流
1.0uA (典型值) CMOS待机电流
•高速存取时间:
-55
55ns
-70
70ns
•自动断电,当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV2017是一款高性能,低功耗CMOS静态
随机存取存储器(16位)组织为131,072单词和
工作在范围4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点,
1.0uA在5.0V / 25
o
55ns的5.0V / 85 ℃,最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效芯片使能( CE )提供,
低电平有效输出使能( OE )和三态输出驱动器。
该BS616LV2017具有自动断电功能,减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2017可在DICE的形式, JEDEC标准的44针
TSOP II型封装, 48焊球BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV2017DC
BS616LV2017EC
BS616LV2017AC
BS616LV2017DI
BS616LV2017EI
BS616LV2017AI
操作
温度
VCC
范围
速度
(纳秒)
55ns : 4.5 〜 5.5V
为70ns : 4.5 〜 5.5V
( I
CCSB1
马克斯)
Vcc=5.0V
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯)
Vcc=5.0V
55ns
70ns
PKG型
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
+0
O
C至+70
O
C
4.5V ~5.5V
55/70
10uA
60mA
53mA
-40
O
C至+ 85
O
C
4.5V ~ 5.5V
55/70
30uA
62mA
55mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616LV2017EC
BS616LV2017EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
北卡罗来纳州
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
北卡罗来纳州
A8
3
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
北卡罗来纳州
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
华晨半导体公司
.
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R0201-BS616LV2017
1
修订版1.1
一月
2004
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