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BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
256K ×16位
BS616LV4016
•宽的Vcc工作电压:
2.4V
~ 3.6V
•极低的功耗:
VCC = 3.0V C-等级: 25毫安( @ 55ns )工作电流
我优级: 27毫安( @ 55ns )工作电流
C-等级: 17毫安( @为70ns )工作电流
我优级: 18毫安( @为70ns )工作电流
0.45uA (典型值)。
CMOS待机电流
•高速存取时间:
-55
55ns (最大)在VCC = 2.7 〜 3.6V / 85
o
C
-70
70ns的(最大)在VCC = 2.4 〜 3.6V / 85
o
C
•自动断电,当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至
1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV4016是一款高性能,低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为262144的单词和
从大范围的操作
2.4V
到3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点,
0.45uA
at
3.0V/25
o
C
和最大访问时间
55ns
at
2.7V/85
o
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供使能(CE )
,低电平有效输出使能( OE )和三态输出驱动器。
该BS616LV4016具有自动断电功能,减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV4016可在DICE的形式, JEDEC标准的44针
TSOP II型封装, 48焊球BGA封装。
产品系列
产品系列
BS616LV4016DC
BS616LV4016EC
BS616LV4016AC
BS616LV4016DI
BS616LV4016EI
BS616LV4016AI
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
操作
温度
VCC
范围
速度
(
NS )
55ns :
2.7~3.6V
为70ns :
2.4~3.6V
( I
CCSB1
马克斯)
功耗
操作
待机
( I
CC
马克斯)
PKG
TYPE
骰子
VCC = 3.0V
VCC = 3.0V
55ns
70ns
0 ℃〜 + 70℃
O
O
2.4V
~ 3.6V
55 / 70
6.0uA
25mA
17mA
-40°C至+ 85°C
O
O
2.4V
~ 3.6V
55 / 70
8.0uA
27mA
18mA
TSOP2-44
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 2048
BS616LV4016EC
BS616LV4016EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容,恕不另行通知。
R0201-BS616LV4016
1
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2004
BSI
引脚说明
BS616LV4016
名字
A0 - A17地址输入
CE芯片使能输入
功能
这18个地址输入选择在RAM中的262,144个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时,数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活,取消选择器件,是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态,当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择,当WE为高电平和OE为低电平时,输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平,在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态,该芯片是
选择并允许写入的是不活动的,数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时, OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
真值表
模式
未选择
(断电)
输出禁用
CE
H
X
L
L
L
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
L
LB
X
H
H
X
L
H
L
L
L
L
X
H
L
UB
X
H
H
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
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2
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2004
BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
BS616LV4016
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
-40
O
O
VCC
2.4V
~ 3.6V
2.4V
~ 3.6V
C
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
C至+ 85
O
C
W
mA
电容
(1)
( TA = 25
o
C,F = 1.0兆赫)
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证,而不是100 %测试。
DC电气特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
测试条件
Vcc=3.0V
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.3
--
0.8
单位
V
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
Vcc=3.0V
2.0
--
--
--
--
--
--
--
Vcc+0.3
V
uA
uA
V
VCC =最大,V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大, CE = V
IH
,或OE = V
IH
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大,我
OL
= 2.0毫安
Vcc=3.0V
1
1
0.4
V
OH
(5)
输出高电压
工作电源
电源电流
待机电流-TTL
(4)
VCC =最小,我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,I
DQ
= 0毫安,
F =最大频率
(3)
Vcc=3.0V
2.4
--
--
18
27
1.0
V
I
CC
70ns
Vcc=3.0V
55ns
--
--
mA
I
CCSB
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
Vcc-0.2V,
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
≦0.2V
Vcc=3.0V
--
--
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=3.0V
--
0.45
8
uA
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
4. I
cc
SB1_max.
是的6uA @ VCC = 3.0V时0
o
C~70
o
C.
5.电流Icc
=最大。
为25mA ( @ 55ns ) / 17毫安( @为70ns )在Vcc = 3.0V / 0 〜 70
o
C.
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BSI
数据保持特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(3)
BS616LV4016
测试条件
CE
VCC - 0.2V
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
CE
VCC - 0.2V
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
见保留波形
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
MIN 。 TYP 。
1.5
--
0
T
RC (2)
--
(1)
马克斯。
--
1.7
--
--
单位
V
uA
ns
ns
0.15
--
--
1. VCC =
1.5V,
T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
(最大值)为1.2uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形
( CE控制)
数据保持方式
VCC
V
IH
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
CE
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS616LV4016
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BSI
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
BS616LV4016
关键开关波形
VCC / 0V
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意:
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
变化
从H到L
变化
以L至H
变化:
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 30pF的+ 1TTL
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
,
AC电气特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
周期时间: 55ns
周期:为70ns
( VCC = 2.4 〜 3.6V )
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
( VCC = 2.7 〜 3.6V )
分钟。典型值。马克斯。
单位
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。典型值。马克斯。
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
E1LQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
注意:
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
(1)
55
--
--
( LB , UB )
--
--
10
( LB , UB )
10
5
--
( LB , UB )
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
30
30
--
--
--
30
30
25
--
70
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
1. t
BA
是为30ns / 35ns的( @速度= 55ns / 70ns的)与地址切换。 ;吨
BA
为55ns / 70ns的( @速度= 55ns / 70ns的)没有地址切换。
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2004
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2 BSI

BS616LV4016AI

Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
0 BSI

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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
11 BSI