电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
IDT7010S45L48  IDT70105S25L52  IDT7010S35CB  IDT7010S70FB  IDT7010L45P  IDT7010S35C  IDT70121S25L52  IDT7010S35L48  IDT70125S35L52B  IDT70121L35L52B  
BS616LV4016ACG70 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit)
.型号:   BS616LV4016ACG70
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
文件大小 :   266 K    
页数 : 10 页
Logo:   
品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号BS616LV4016ACG70的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号BS616LV4016ACG70的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号BS616LV4016ACG70的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号BS616LV4016ACG70的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号BS616LV4016ACG70的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号BS616LV4016ACG70的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号BS616LV4016ACG70的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号BS616LV4016ACG70的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
256K ×16位
BS616LV4016
•宽的Vcc工作电压:
2.4V
~ 3.6V
•极低的功耗:
VCC = 3.0V C-等级: 25毫安( @ 55ns )工作电流
我优级: 27毫安( @ 55ns )工作电流
C-等级: 17毫安( @为70ns )工作电流
我优级: 18毫安( @为70ns )工作电流
0.45uA (典型值)。
CMOS待机电流
•高速存取时间:
-55
55ns (最大)在VCC = 2.7 〜 3.6V / 85
o
C
-70
70ns的(最大)在VCC = 2.4 〜 3.6V / 85
o
C
•自动断电,当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至
1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV4016是一款高性能,低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为262144的单词和
从大范围的操作
2.4V
到3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点,
0.45uA
at
3.0V/25
o
C
和最大访问时间
55ns
at
2.7V/85
o
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供使能(CE )
,低电平有效输出使能( OE )和三态输出驱动器。
该BS616LV4016具有自动断电功能,减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV4016可在DICE的形式, JEDEC标准的44针
TSOP II型封装, 48焊球BGA封装。
产品系列
产品系列
BS616LV4016DC
BS616LV4016EC
BS616LV4016AC
BS616LV4016DI
BS616LV4016EI
BS616LV4016AI
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
操作
温度
VCC
范围
速度
(
NS )
55ns :
2.7~3.6V
为70ns :
2.4~3.6V
( I
CCSB1
马克斯)
功耗
操作
待机
( I
CC
马克斯)
PKG
TYPE
骰子
VCC = 3.0V
VCC = 3.0V
55ns
70ns
0 ℃〜 + 70℃
O
O
2.4V
~ 3.6V
55 / 70
6.0uA
25mA
17mA
-40°C至+ 85°C
O
O
2.4V
~ 3.6V
55 / 70
8.0uA
27mA
18mA
TSOP2-44
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 2048
BS616LV4016EC
BS616LV4016EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容,恕不另行通知。
R0201-BS616LV4016
1
修订版1.1
一月
2004
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7