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型号:  
描述:
MPV520T8QJ  APT8M100B  V53C1256164VAUT8PC  DF-3YD  V53C1256164VBLT8PC  DF005L  ST8R00W  DF005M  MPV510T8PJ  LB-1608-T8R2MK  
BS616LV8016FIG70 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 (Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit)
.型号:   BS616LV8016FIG70
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描述: 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit
文件大小 :   155 K    
页数 : 10 页
Logo:   
品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
超低功耗CMOS SRAM
512K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV8016
n
特点
Ÿ
宽V
CC
工作电压: 2.4V 〜 5.5V
Ÿ
极低的功耗:
V
CC
= 3.0V
工作电流: 31毫安为55ns (最大)
2毫安(最大) ,以1MHz
待机电流: 0.8uA (典型值),在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流: 76毫安为55ns (最大)
10mA(最)在1MHz
待机电流: 3.5uA (典型值),在25
O
C
Ÿ
高速存取时间:
-55
55ns (最大)在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的(最大)在V
CC
=2.7~5.5V
Ÿ
自动断电,当芯片被取消
Ÿ
易于扩展与CE2 , CE1和OE选项
Ÿ
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作,没有时钟,没有刷新
Ÿ
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616LV8016是一款高性能,低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为524,288和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点,
0.8uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
( CE1 ) ,高电平有效芯片使能( CE2 )和低电平有效输出
启用( OE )和三态输出驱动器。
该BS616LV8016具有自动断电功能,降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8016是DICE的形式和48球BGA可用
封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV8016DC
BS616LV8016FC
BS616LV8016FI
操作
温度
广告
+0
O
C至+70
O
C
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
待机
(I
CCSB1
,最大值)
操作
(I
CC
,最大值)
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
25uA
4.0uA
9mA
39mA
75mA
1.5mA
19mA
30mA
骰子
BGA-48-0912
50uA
8.0uA
10mA
40mA
76mA
2mA
20mA
31mA
BGA-48-0912
n
销刀豆网络gurations
n
框图
1
A
LB
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
CE2
B
DQ8
UB
A3
A4
CE1
DQ0
C
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
D
VSS
DQ11
A17
A7
DQ3
VCC
E
VCC
DQ12
VSS
A16
DQ4
VSS
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
16
G
DQ15
NC
A12
A13
WE
DQ7
H
A18
A8
A9
A10
A11
NC
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
控制
A14 A15 A16 A17 A18 A0 A1 A2 A3
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格,恕不另行通知。
R0201-BS616LV8016
1
修订版2.3
五月。
2006
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