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描述:
PC-77DS1-8KM220-51  A1750A06B046R  PC-77DS1-8KP110-02  A1750A06B042F  PC-77DS1-8KM230-55  A1750A06B061R  A1750A06B053R  A1750A06B057F  PC-77DS1-8KM130-50  A1750A06B038F  
BS616LV8019FC-55 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 (Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit)
.型号:   BS616LV8019FC-55
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描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit
文件大小 :   272 K    
页数 : 9 页
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品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×16位
(单CE引脚)
描述
BS616LV8019
•的Vcc工作电压: 4.5 〜 5.5V
•极低的功耗:
VCC = 5.0V C-等级: 75毫安( @ 55ns )工作电流
我优级: 76毫安( @ 55ns )工作电流
C-等级: 60毫安( @为70ns )工作电流
我优级: 61毫安( @为70ns )工作电流
8.0uA (典型值) CMOS待机电流
•高速存取时间:
-55
55ns
-70
70ns
•自动断电,当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616LV8019是一款高性能,低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为524288的单词和
工作在范围4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点,
8.0uA在5V / 25
o
55ns的5.0V / 85 ℃,最大访问时间
o
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供使能(CE )
,低电平有效输出使能( OE )和三态输出驱动器。
该BS616LV8019具有自动断电功能,减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8019是48B BGA和44L TSOP2封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV8019EC
BS616LV8019FC
BS616LV8019EI
BS616LV8019FI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
速度
(纳秒)
55ns : 4.5 〜 5.5V
为70ns : 4.5 〜 5.5V
( I
CCSB1
马克斯)
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯)
PKG型
TSOP2-44
BGA-48-0912
TSOP2-44
BGA-48-0912
Vcc=5V
Vcc=5V
55ns
Vcc=5V
70ns
55 / 70
55 / 70
55uA
110uA
75mA
76mA
60mA
61mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
A8
A9
A10
A11
A12
A13
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 4096
BS616LV8019EC
BS616LV8019EI
4096
D0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
1
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
.
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A 14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A 15
A 13
A 10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A 11
6
NC
D0
D2
V CC
V SS
D6
D7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
V SS
V CC
D14
D15
A 18
.
.
.
.
D15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
VSS
控制
16
地址输入缓冲器
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A18
48球CSP顶视图
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容,恕不另行通知。
R0201-BS616LV8019
1
修订版2.1
一月
2004
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