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BS616UV2019ACG85 超低功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 (Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit)
.型号:   BS616UV2019ACG85
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描述: 超低功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位
Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
文件大小 :   268 K    
页数 : 9 页
Logo:   
品牌   BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
BS616UV2019
•宽的Vcc工作电压:
C-等级: 1.8V 〜 3.6V
I级: 1.9V 〜 3.6V
( Vcc_min 。 = 1.65V 25
o
C)
•超低功耗:
VCC = 2.0V
C-等级: 8毫安(最大)工作电流
我优级: 10毫安(最大)工作电流
0.20uA (典型值) CMOS待机电流
VCC = 3.0V
C-等级: 11毫安(最大)工作电流
我优级: 13毫安(最大)工作电流
0.30uA (典型值) CMOS待机电流
•高速存取时间:
-85
85ns (最大)
-10
为100ns (最大值)。
•自动断电,当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•易于扩展CE和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
•数据保持电源电压低至1.0V
描述
该BS616UV2019是一款高性能,超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器(16位)组织为131,072单词和
工作在广泛的1.8V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点,
0.2uA在2.0V / 25
o
85ns的在85℃和最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效芯片使能( CE )提供,
低电平有效输出使能( OE )和三态输出驱动器。
该BS616UV2019具有自动断电功能,减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV2019可在DICE的形式, JEDEC标准的48引脚
TSOP I型封装, 48焊球BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616UV2019DC
BS616UV2019TC
BS616UV2019AC
BS616UV2019DI
BS616UV2019TI
BS616UV2019AI
操作
温度
VCC
范围
速度
(纳秒)
C-级: 1.8 〜 3.6V
I级: 1.9 〜 3.6V
( I
CCSB1
马克斯)
Vcc=3.0V
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯)
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
PKG型
骰子
TSOP1-48
BGA-48-0608
骰子
TSOP1-48
BGA-48-0608
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
1.8V ~3.6V
1.9V ~ 3.6V
85/100
85/100
3.0uA
2.0uA
11mA
8mA
10mA
5.0uA
3.0uA
13mA
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
/ WE
CE2
NC
/ UB
/磅
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
47
46
A16
NC
VSS
IO15
IO7
IO14
IO6
IO13
IO5
IO12
IO4
VCC
IO11
IO3
IO10
IO2
IO9
IO1
IO8
IO0
/ OE
VSS
/ CE
A0
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
9
10
13
16
17
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616UV2019TC
BS616UV2019TI
37
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
27
24
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
北卡罗来纳州
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
北卡罗来纳州
A8
3
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
北卡罗来纳州
25
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE2 ,CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
.
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R0201-BS616UV2019
1
修订版1.1
一月
2004
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