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CAT93C86
(模版本C )
16K位Microwire串行EEPROM
特点
I
高速运转: 3MHz的
I
低功耗CMOS技术
I
1.8至5.5伏特操作
I
可选x8或x16内存组织
I
自定时写周期自动清零
I
硬件和软件写保护
I
上电时疏忽造成的写保护
I
顺序读取
I
编程使能( PE )引脚
I
百万编程/擦除周期
I
百年数据保留
H
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
I
商用,工业和汽车
温度范围
I
RoHS兼容封装
描述
该CAT93C86是一个16K位的串行EEPROM存储器
其被配置为16位的任一寄存器中的设备
( ORG引脚为V
CC
)或8位( ORG引脚为GND)。每
通过使用寄存器可以写入(或读取)串行
DI (或DO )引脚。该CAT93C86使用制造
催化剂先进的CMOS EEPROM浮动栅
技术。该设备被设计为承受百万
编程/擦除周期和具有100数据保留
年。该器件采用8引脚DIP , 8引脚SOIC
和8-垫TDFN封装。
引脚配置
DIP封装( L)
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
PE
ORG
GND
功能符号
SOIC封装( W)
PE
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
GND
DO
DI
V
CC
VCC
CS
SK
ORG
CS
SK
PE
DI
DO
SOIC封装( V)
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
PE
ORG
GND
CS
SK
DI
DO
SOIC封装( X)
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
PE
ORG
GND
GND
引脚功能
引脚名称
CS
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
存储器组织
项目启用
TDFN封装( ZD4 )
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
SK
DI
VCC
PE
ORG
GND
DO
V
CC
GND
ORG
顶视图
PE
如需订购信息的详细信息,请参阅第12页。
注意:当ORG引脚连接到VCC时, X16组织
化选择。当它被连接到地,所述x8的销是
选择。如果ORG引脚悬空,则内部上拉
设备会选择x16组织。
© Catalyst半导体公司
特性如有变更,恕不另行通知。
文档。 1091号,第Ó
CAT93C86
绝对最大额定值*
高温下偏置.................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度........................ -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(1)
............. -2.0V到+ V
CC
+2.0V
V
CC
相对于地面................ -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力(T
A
= 25 ° C) ................................... 1.0W
引线焊接温度( 10秒) ............ 300℃
输出短路电流
(2)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(3)
T
DR(3)
V
ZAP(3)
I
LTH(3)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
基准测试方法
MIL - STD-883标准,测试方法1033
MIL - STD-883标准,测试方法1008
MIL - STD-883标准,测试方法3015
JEDEC标准17
1,000,000
100
2000
100
典型值
最大
单位
周期/字节
岁月
mA
* COMMENT
注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或那些之外的任何其他条件
在操作部分中列出的本规范不
暗示。暴露于任何绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的性能和
可靠性。
直流工作特性
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,除非另有说明。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流
(写)
电源电流
(READ )
电源电流
(待机) ( x8模式)
电源电流
(待机) ( x16Mode )
输入漏电流
输出漏电流
(包括ORG引脚)
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1MHz的
V
CC
= 5.0V
f
SK
= 1MHz的
V
CC
= 5.0V
CS = 0V
ORG = GND
CS=0V
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
,
CS = 0V
4.5V
V
CC
& LT ; 5.5V
4.5V
V
CC
& LT ; 5.5V
1.8V
V
CC
& LT ; 4.5V
1.8V
V
CC
& LT ; 4.5V
4.5V
V
CC
& LT ; 5.5V
I
OL
= 2.1毫安
4.5V
V
CC
& LT ; 5.5V
I
OH
= -400µA
1.8V
V
CC
& LT ; 4.5V
I
OL
= 1毫安
1.8V
V
CC
& LT ; 4.5V
I
OH
= -100µA
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.1
2
0
V
CC
x 0.7
0
典型值
最大
3
500
10
10
1
1
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+1
0.4
单位
mA
µA
µA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
V
V
V
注意:
(1 )最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中,输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ,这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
(2)输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
( 3 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供( 4 )闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
文档。 1091号,第Ó
2
CAT93C86
引脚电容
符号
C
OUT(1)
C
IN(1)
TEST
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI , ORG )
条件
V
OUT
=0V
V
IN
=0V
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
指令集
开始
1
1
1
1
1
1
1
地址
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
A10-A0
A10-A0
A10-A0
11XXXXXXXXX
00XXXXXXXXX
10XXXXXXXXX
01XXXXXXXXX
数据
x16
A9-A0
A9-A0
A9-A0
D7-D0
x8
x16
评论
读地址AN- A0
清除地址AN- A0
D15 - D0写地址AN- A0
写使能
写禁止
清除所有地址
D7-D0
D15 -D0写入所有地址
指令
抹去
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
11XXXXXXXX
00XXXXXXXX
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
交流特性
范围
V
CC
=
1.8V-5.5V
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(1)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
500
DC
C
L
= 100pF的
(3)
TEST
条件
200
0
200
200
1
1
400
5
0.5
0.5
0.5
0.5
1000
DC
最大
V
CC
=
2.5V-5.5V
100
0
100
100
0.5
0.5
200
5
0.15
0.15
0.15
0.1
3000
最大
V
CC
=
4.5V-5.5V
50
0
50
50
0.15
0.15
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
µs
µs
ns
ms
µs
µs
µs
µs
千赫
3
文档。 1091号,第Ó
CAT93C86
上电时序
(1)(2)
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读操作
上电到写操作
最大
1
1
单位
ms
ms
交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
50ns
0.4V至2.4V
0.8V, 2.0V
0.2V
CC
到0.7V
CC
0.5V
CC
4.5V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
4.5V
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
(2) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的,直到指定的操作可以启动。
( 3 )输入电平和时序参考点显示在“AC测试条件”表中。
设备操作
该CAT93C86是16,384位的非易失性存储器
旨在与行业标准microproces-使用
感器。该CAT93C86可以组织成要么寄存器
的16位或8位字符。当组织为X16 ,七
13位指令控制的读,写和擦除
该装置的操作。当组织为X8 ,七
14位指令控制的读,写和擦除
该装置的操作。该CAT93C86运行在
单电源供电,并在芯片上产生的高
在任何写操作所需的电压。
指令,地址和写数据移入
DI引脚上的时钟( SK )的上升沿。在DO
针通常处于高阻抗状态时除外
从设备中读取数据,或检查时,
在写操作后准备/繁忙状态。
就绪/忙碌状态可以启动后确定
通过选择设备的写操作( CS高点)和
查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成,而DO高表示
该装置已准备好进行下一条指令。如果需要的话,
DO引脚可被放回高阻抗
芯片中的状态通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入选择
DI引脚。 DO引脚将进入高阻抗状态
时钟(SK)的下降沿。配售DO引脚为
高阻抗状态,建议在应用
系统蒸发散,其中DI引脚和DO脚都被捆绑
在一起,形成一个共同的DI / O引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑"1"起始位,2-位(或4位)操作码, 10位
地址(一个额外的位,当组织X8 )和
写操作的一个16位的数据字段(8位为X8
机构) 。
启用模式。对于写使能和写禁止
指令PE =不在乎。
一旦接收到一个READ命令和地址
(移入DI引脚) ,该CAT93C86的DO引脚会
走出来的高阻抗状态,发送后
最初的虚拟零位,将开始移出数据
解决( MSB在前) 。输出的数据位将切换上
后的SK时钟的上升沿和稳定
特定网络版时间延迟(T
PD0
或T
PD1
).
在最初的数据字已移出和CS
保持有效的SK时钟不断切换,
该设备将自动递增到下一地址
然后将其移出的下一个数据字以顺序读
模式。只要CS持续有效和SK
不断切换,设备将不断递增,以
下一个地址自动,直到它到达该端
的地址空间,然后循环返回到地址0。
在连续读模式下,只有最初的数据字是
通过一个虚拟的零位preceeded 。所有后续数据
也就是说将按照无虚设零位。
后接收到写命令,地址和
数据显示, CS (片选)引脚必须被取消了
最小的t
CSMIN
。 CS的下降沿将启动
存储器的自同步清晰和数据存储周期
在指令中指定的位置。的计时
SK针是没有必要的器件已经进入了
自时钟模式。的就绪/忙碌状态
CAT93C86可以通过选择装置来确定
和查询DO管脚。由于该器件具有自动 -
清除前写的,这是没有必要擦除
内存位置之前被写入。
注:写,擦除,写入所有和擦除所有说明
需要PE = 1 。如果PE悬空, 93C86是程序
文档。 1091号,第Ó
4
CAT93C86
图1. Sychronous数据时序
tSKHI
SK
TDI发动机
DI
TCSS
CS
TDI发动机
DO
tPD0,tPD1
数据有效
tCSMIN
有效
有效
tDIH
tSKLOW
TCSH
图2.读指令时序
SK
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
CS
不关心
AN
DI
1
1
0
AN–1
A0
DO
高-Z
哑0
D15 . . . D0
or
D7 . . . D0
地址+ 1
D15 . . . D0
or
D 7 . . . D0
地址+ 2
D15 . . . D0
or
D 7 . . . D0
地址+ N
D15 . . .
or
D7 . . .
图3.写指令时序
SK
tCSMIN
CS
AN
DI
1
0
1
TSV
DO
高-Z
TEW
准备
高-Z
太赫兹
AN-1
A0
DN
D0
状态
VERIFY
待机
5
文档。 1091号,第Ó
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