元器件型号: | NE5511279A-T1-A |
生产厂家: | CALIFORNIA EASTERN LABS |
描述和应用: | 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:293K) |
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型号参数:NE5511279A-T1-A参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Transferred |
包装说明 | 79A, 4 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.64 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 8 V |
最大漏极电流 (ID) | 3 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-XQMW-F4 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROWAVE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET