NE5511279A-T1-A [CEL]

7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET; 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
NE5511279A-T1-A
元器件型号: NE5511279A-T1-A
生产厂家: CALIFORNIA EASTERN LABS    CALIFORNIA EASTERN LABS
描述和应用:

7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET

射频
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型号参数:NE5511279A-T1-A参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Transferred
包装说明79A, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
风险等级5.64
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (ID)3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-XQMW-F4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1