NE85619-T1 [CEL]

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR; NPN硅高频三极管
NE85619-T1
元器件型号: NE85619-T1
生产厂家: CALIFORNIA EASTERN LABS    CALIFORNIA EASTERN LABS
描述和应用:

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NPN硅高频三极管

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型号参数:NE85619-T1参数
生命周期Obsolete
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.75
风险等级5.24
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1.5 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4500 MHz
Base Number Matches1