元器件型号: | NESG204619-T1-A |
生产厂家: | CALIFORNIA EASTERN LABS |
描述和应用: | NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:317K) |
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型号参数:NESG204619-T1-A参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.28 |
最大集电极电流 (IC) | 0.04 A |
基于收集器的最大容量 | 0.4 pF |
集电极-发射极最大电压 | 5 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM |
标称过渡频率 (fT) | 18000 MHz |
Base Number Matches | 1 |
NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NPN硅锗晶体管,低噪声,高增益放大