NESG204619-T1-A [CEL]

NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION; NPN硅锗晶体管,低噪声,高增益放大
NESG204619-T1-A
元器件型号: NESG204619-T1-A
生产厂家: CALIFORNIA EASTERN LABS    CALIFORNIA EASTERN LABS
描述和应用:

NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NPN硅锗晶体管,低噪声,高增益放大

晶体 晶体管 光电二极管 放大器
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型号参数:NESG204619-T1-A参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Transferred
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.28
最大集电极电流 (IC)0.04 A
基于收集器的最大容量0.4 pF
集电极-发射极最大电压5 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)18000 MHz
Base Number Matches1