元器件型号: | NESG3031M14-T3-A |
生产厂家: | CALIFORNIA EASTERN LABS |
描述和应用: | NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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型号参数:NESG3031M14-T3-A参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD |
包装说明 | LEADLESS MINIMOLD, M14, 4 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.61 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.035 A |
基于收集器的最大容量 | 0.25 pF |
集电极-发射极最大电压 | 4.3 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F4 |
JESD-609代码 | e6 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN BISMUTH |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM |
Base Number Matches | 1 |
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NPN硅锗高频三极管