NESG3031M14-T3-A [CEL]

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR; NPN硅锗高频三极管
NESG3031M14-T3-A
元器件型号: NESG3031M14-T3-A
生产厂家: CALIFORNIA EASTERN LABS    CALIFORNIA EASTERN LABS
描述和应用:

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NPN硅锗高频三极管

晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器
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型号参数:NESG3031M14-T3-A参数
是否Rohs认证符合
生命周期Transferred
IHS 制造商NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
包装说明LEADLESS MINIMOLD, M14, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
风险等级5.61
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.035 A
基于收集器的最大容量0.25 pF
集电极-发射极最大电压4.3 V
配置SINGLE
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM
Base Number Matches1