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描述:
TCFGA1A106M8R  TCFGA1A106M  TCFGA0J336M  TCFGA1D106K8R  TCFGA0J475M  HSD8M32B4-13  HMD8M32M16EBG  HMD8M32M16EBG-5  TCFGA0J335K  D8NA10Y4  
NDL5551P_00 1000至1600年纳米光纤通信50微米的InGaAs雪崩光电二极管模块 (1000 to 1600 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS 50 um InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODE MODULE)
.型号:   NDL5551P_00
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描述: 1000至1600年纳米光纤通信50微米的InGaAs雪崩光电二极管模块
1000 to 1600 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS 50 um InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODE MODULE
文件大小 :   48 K    
页数 : 5 页
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品牌   CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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100%
1000至1600年纳米光学
光纤通信
φ50 µm
砷化铟镓
雪崩光电二极管模块
特点
SMALLER暗电流:
I
D
= 5 NA
高量子效率:
η
= 90% ,在
λ
= 1300纳米, M = 1的
η
= 77 %
λ
= 1550纳米, M = 1的
高速响应:
f
C
= 1.2 GHz的@ M = 20
检测区域SIZE :
φ
50
µm
同轴模块的多模光纤:
GI-50/125
NDL5551P
系列
描述
该NDL5551P系列是砷化铟镓PIN光电二极管模块
与多模光纤。它们被设计为长探测器
波长传输系统和覆盖所述波长
范围setween 1000和1600纳米。
光电特性
(T
C
= 25°C)
产品型号
符号
V
( BR )R
δ
1
I
D
I
DM
C
t
f
C
η
S
M
x
F
注意:
参数和条件
反向击穿电压,I
D
=100
µA
的反向击穿电压的温度系数
暗电流,V
R
= V
( BR )R
x 0.9
相乘的暗电流,M = 2〜10的
终端电容,V
R
= V
( BR )R
×0.9 , F = 1兆赫
截止频率, M = 10
M = 20
量子效率,
λ
= 1300纳米, M = 1的
λ
= 1550纳米, M = 1的
响应,
λ
= 1300纳米
λ
= 1550纳米
倍增系数,
λ
= 1300纳米,我
PO
= 1.0
µA
V
R
= V ( @I
D
= 1
µA)
多余的噪声指数,
λ
= 1300纳米, 1550纳米,
I
PO
=1.0
µA,
M = 10 , F = 35 MHz时, B = 1兆赫
多余的噪声系数,
λ
= 1300纳米, 1550纳米,
I
PO
=1.0
µA,
M = 10 , F = 35 MHz时, B = 1兆赫
单位
V
%/ºC
nA
nA
pF
GHz的
%
/ W
1
76
65
0.8
0.81
30
50
NDL5551P系列
典型值
70
0.2
5
1
0.4
1.5
1.2
90
77
0.94
0.96
40
0.7
5
30
5
0.75
最大
100
1.
δ
=
V
( BR )R
< 25 ° C +
ΔT ℃,
> - V
( BR )R
<25°C>
ΔT ° C•
V
( BR )R
<25°C>
美国加州东部实验室
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