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NDL5551P_00 1000至1600年纳米光纤通信50微米的InGaAs雪崩光电二极管模块 (1000 to 1600 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS 50 um InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODE MODULE)
.型号:   NDL5551P_00
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描述: 1000至1600年纳米光纤通信50微米的InGaAs雪崩光电二极管模块
1000 to 1600 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS 50 um InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODE MODULE
文件大小 :   48 K    
页数 : 5 页
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品牌   CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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100%
NDL5551P系列
典型性能曲线
(T
C
= 25 ° C,除非另有规定编)
倍增系数与
反向电压
的温度依赖性
暗电流,再乘以
暗电流
暗电流,倍增暗电流我
D
,
I
DM
(A)
10
3
10
-6
λ
= 1300纳米
倍增因数,男
10
-7
T
C
= 65°C
10
2
T
C
= -20°C
ID @ V
R
= 0.9 V
( BR )R
10
-8
10
1
T
C
= 25°C
10
-9
I
DM
T
C
= 85°C
10
-10
10
0
0
20
40
60
80
100
10
-11
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
反向电压, V
R
(V)
工作温度的情况下,T
C
(ºC)
截止频率与
倍增系数
10
T
C
= 25°C
频率响应
λ
= 1300纳米
R
L
= 50Ω
M=8
T
C
= 25°C
截止频率f
C
(千兆赫)
5.0
对此, (3分贝/ DIV )。
1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0.1
频率f ( GHz)的
1
10
100
倍增因数,男
端子电容与
反向电压
100
2
过量噪声系数与
倍增系数
1300纳米() , 1550纳米()
F = 35 MHz时, B = 1兆赫
终端电容,C
t
(PF )
50
多余的噪声系数F
0.5
20
0.4
1
10
5
0.5
0.2
2
0.1
1
2
5
10
20
50
100
1
1
2
5
10
20
50
100
反向电压, V
R
(V)
倍增因数,男
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