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JANTX1N5550  JANTX1N5552  JANTX1N5551  JANTX1N5553  
NE3510M04-T2 异质结型场效应晶体管 (HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)
.型号:   NE3510M04-T2
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描述: 异质结型场效应晶体管
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
文件大小 :   181 K    
页数 : 11 页
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品牌   CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
购买 :   
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100%
数据表
异质结型场效应晶体管
NE3510M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
•低噪声指数和高增益相关
NF = 0.45 dB典型值。 ,G
a
= 16 dB典型值。 @ F = 4千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 15毫安
NF = 0.35 dB典型值。 ,G
a
= 19 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 10 MA(仅供参考)
•扁平引脚4引脚薄型超minimold ( M04 )封装
应用
•卫星广播( SDARS , DMB等)天线LNA
•低噪声放大器用于微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3510M0 4
NE3510M04-T2
订单号
否E 35 10 M0 4-
NE3510M04-T2-A
扁平引线4针thin-
型超minimold
( M04 ) (无铅)
QUANTITY
50 P CS (N R上的鳗鱼)
3千件/卷
记号
V 81
供给方式
•8毫米宽压纹带卷
•引脚1 (来源) ,引脚2 (漏)的脸
带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3510M04 -A
绝对最大额定值(T
A
= +25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
评级
4.0
3.0
I
DSS
140
125
+150
65〜 150
单位
V
V
mA
A
mW
C
C
T
ch
T
英镑
安装在1.08厘米
2
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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证实,这是最新版本。
一号文件PG10676EJ01V0DS (第1版)
发布日期2007年NS月
2007
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