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NESG2030M04-A NPN硅锗高频三极管 (NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR)
.型号:   NESG2030M04-A
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描述: NPN硅锗高频三极管
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
文件大小 :   430 K    
页数 : 10 页
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品牌   CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
购买 :   
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100%
NPN硅锗RF晶体管
NESG2030M04
NPN硅锗高频三极管
特点
SiGe技术:
f
T
= 60 GHz的过程
低噪声系数:
NF = 0.9 dBm的在2 GHz
最大稳定增益:
味精= 20分贝2 GHz的
新LOW PROFILE M04包装:
SOT- 343的足迹,用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
M04
描述
NEC的NESG2030M04采用国家最先进的NEC的硅锗晶片工艺制造。用的典型转变的频率
60GHz的NESG2030M04是在应用程序从100MHz到超过10千兆赫可用。的35毫安提供最大直流电流输入
用250的可使用的电流范围内的设备
μA
到25毫安。该NESG2030M04提供了出色的低电压/低电流性能。
NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M04"封装非常适合当今的便携式无线应用。该NESG2030M04是一种理想的
选择在所有的移动通信系统中低噪声放大器和振荡器的需求。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ,我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 0.5 V,I
C
= 0
直流电流增益
2
在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
反向传输电容
3
在V
CB
= 2 V,I
E
= 0 mA时, F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫,Z
IN
= Z
选择
在V相关的增益
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫,Z
S
= Z
选择
最大稳定增益
4
在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
三阶截点,V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
pF
dB
GHz的
dB
dB
DBM
DBM
18
16
单位
nA
nA
200
0.17
0.9
16
20
18
12
22
NESG2030M04
2SC5761
M04
典型值
最大
200
200
400
0.22
1.1
DC
I
EBO
h
FE
C
re
NF
G
a
味精
RF
|S
21E
|
2
P
1dB
OIP
3
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量,脉冲宽度
350
μs,
占空比
2 %.
3.集电极基极电容用电容表(自动平衡电桥法)时,发射器引脚连接到测量
后卫脚。
4.味精= S
21
S
12
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发表日期: 2005年6月22日
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