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砷化镓集成电路
µ
PG2250T5N
1.8 V ,功率放大器蓝牙
TM
1级
描述
µ
PG2250T5N是GaAs MMIC的功率放大器,这是对蓝牙Class 1开发。
该器件实现了高效率,高增益和高输出功率。
该器件采用6引脚塑料TSON (薄型小输出线无引脚)封装。而这个包能
到高密度的表面安装。
特点
•工作频率
•电源电压
•控制电压
•电路电流
•输出功率
•增益控制范围
•高效率
: f
选择
= 2 400〜 2 500 MHz的( 2 450 MHz的TYP 。 )
: V
DD
1 , 2 , 3 = 1.5〜3.5 V( 1.8 V TYP 。 )
: V
CONT
= 1.5〜 2.1 V ( 1.8 V TYP 。 )
: I
DD
= 100毫安TYP 。 @ V
DD
1, 2, 3 = 1.8 V, V
CONT
= 1.8 V ,P
OUT
= +19 dBm的
: P
OUT
= 20.0 dBm的典型。 @ V
DD
1, 2, 3 = 1.8 V, V
CONT
= 1.8 V ,P
in
=
−5
DBM
: GCR = 60 dB典型值。 @ V
DD
1, 2, 3 = 1.8 V, V
CONT
= 0〜 1.8 V,P
in
=
−5
DBM
: PAE = 55 % TYP 。 @ V
DD
1, 2, 3 = 1.8 V, V
CONT
= 1.8 V ,P
in
=
−5
DBM
•高密度表面安装: 6引脚塑料封装TSON ( 1.5
×
1.5
×
0.37 mm)
应用
•功率放大器蓝牙Class 1
订购信息
产品型号
订单号
6 - pin塑料TSON
(无铅)
记号
G5C
供给方式
压纹带8mm宽
销1,6面带的穿孔侧
数量3千件/卷
µ
PG2250T5N-E2
µ
PG2250T5N-E2-A
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号:
µ
PG2250T5N-A
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PG10639EJ01V0DS (第1版)
发布日期2006年9月NS CP ( K)
2006
µ
PG2250T5N
引脚连接和内部框图
( TOP VIEW )
( TOP VIEW )
(底视图)
PIN号
1
引脚名称
OUTPUT / V
DD
3
北卡罗来纳州
V
CONT
输入
V
DD
1
V
DD
2
1
6
1
6
6
1
2
3
G5C
参数
参数
2
5
2
5
5
2
4
5
6
3
4
3
偏置电路
4
4
3
备注
裸露焊盘: GND
绝对最大额定值(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
符号
V
DD
1, 2, 3
V
CONT
I
DD
I
CONT
P
in
P
D
T
A
T
英镑
评级
5.0
2.4
250
5
+5
400
单位
V
V
mA
mA
DBM
mW
°C
°C
电源电压
控制电压
短路电流
控制电流
输入功率
功耗
工作环境温度
储存温度
−40
+85
−55
+150
安装在双面覆铜50
×
50
×
1.6毫米环氧玻璃PWB ,T
A
= +85°C
推荐工作范围(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
符号
f
选择
V
DD
1, 2, 3
V
CONT
分钟。
2 400
1.5
1.5
典型值。
2 450
1.8
1.8
马克斯。
2 500
3.5
2.1
单位
兆赫
V
V
工作频率
电源电压
控制电压
2
数据表PG10639EJ01V0DS
µ
PG2250T5N
电气特性
(T
A
= + 25 ° C,V
DD
1,2, 3 = 1.8伏中,f = 2 450兆赫,磷
OUT
= +19 dBm时,外部输入和输出匹配,
除非另有规定编)
参数
短路电流
控制电流
关断电流
输出功率1
输出功率2
增益控制范围
效率
第二谐波
符号
I
DD
I
CONT
I
关闭
P
OUT
1
P
OUT
2
GCR
PAE
2f
0
测试条件
V
CONT
= 1.8 V ,P
OUT
= +19 dBm的
V
CONT
= 1.8 V ,P
OUT
= +19 dBm的
V
CONT
= 0 V , RF无
V
CONT
= 1.8 V ,P
in
=
−5
DBM
V
CONT
= 0 V ,P
in
=
−5
DBM
V
CONT
= 0〜 1.8 V,P
in
=
−5
DBM
V
CONT
= 1.8 V ,P
in
=
−5
DBM
V
CONT
= 1.8 V ,P
in
=
−5
DBM
分钟。
+19.0
典型值。
100
+20.0
−40.0
60
55
35
马克斯。
130
3
5
单位
mA
mA
µ
A
DBM
DBM
dB
%
dBc的
数据表PG10639EJ01V0DS
3
µ
PG2250T5N
评估电路
V
DD
3
0.1
µ
F
12 nH的
10 pF的
产量
1.5 pF的
2.2 nH的
2
5
1 000 pF的
0.1
µ
F
V
DD
1
1
6
0.1
µ
F
V
DD
2
V
CONT
0.1
µ
F
3
偏置电路
4
5.6 nH的
输入
该应用电路及其参数仅供参考,并不用于实际设计的插件使用。
4
数据表PG10639EJ01V0DS
µ
PG2250T5N
典型特征(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
条件: F = 2 450兆赫,V
DD
1 = V
DD
2 = V
DD
3 = V
CONT
= 1.8V,与外部输入和输出匹配电路
输出功率,增益,短路电流,
效率与输入功率
35
140
30
25
20
15
10
5
0
–30
–25
收益
I
DD
120
100
P
OUT
80
60
PAE
40
20
–20
–15
–10
–5
0
0
5
输入功率P
in
( dBm的)
条件: F = 2 450兆赫,V
DD
1 = V
DD
2 = V
DD
3 = V
CONT
= 1.8 V ,P
in
=
−5
dBm时,与外部输入和输出匹配
电路
输出功率,短路电流,
效率与控制电压
30
20
P
OUT
140
120
100
80
PAE
60
40
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
3
10
I
DD
0
–10
–20
–30
–40
控制电压V
CONT
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
电路的电流I
DD
(毫安) ,效率PAE ( % )
输出功率P
OUT
( dBm的)
电路的电流I
DD
(毫安) ,效率PAE ( % )
输出功率P
OUT
(DBM ) ,增益(dB )
数据表PG10639EJ01V0DS
5
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