概述
规格参数
数据手册CJD350BKTIN/LEAD 概述
Transistor 其他晶体管
CJD350BKTIN/LEAD 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
CJD350BKTIN/LEAD 数据手册
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PDF下载CJD350BKTIN/LEAD 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| CJD350LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | 获取价格 |
|
| CJD350TR | CENTRAL | 暂无描述 | 获取价格 |
|
| CJD350TR13 | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, | 获取价格 |
|
| CJD350TR13PBFREE | CENTRAL | Transistor, | 获取价格 |
|
| CJD350TR13TIN/LEAD | CENTRAL | Transistor | 获取价格 |
|
| CJD350TRLEADFREE | CENTRAL | Transistor | 获取价格 |
|
| CJD41C | CENTRAL | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR | 获取价格 |
|
| CJD41CBK | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, | 获取价格 |
|
| CJD41CBKTIN/LEAD | CENTRAL | Transistor | 获取价格 |
|
| CJD41CNPN | CENTRAL | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR | 获取价格 |
|
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