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PSD913F2A-12U  PSD913F2A-12UIT  PSD913F2A-12MIT  PSD913F2A-12M  PSD913F2A-12MI  PSD913F2A-12UI  PSD913F2A-12JIT  PSD913F2A-12JT  PSD913F2A-12JI  PSD913F2A-12MT  
BZX84C8V2 表面贴装硅稳压二极管为350mW , 2.4 THRU 47伏 (SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE 350mW, 2.4 THRU 47 VOLTS)
.型号:   BZX84C8V2
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描述: 表面贴装硅稳压二极管为350mW , 2.4 THRU 47伏
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE 350mW, 2.4 THRU 47 VOLTS
文件大小 :   331 K    
页数 : 2 页
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品牌   CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
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100%
BZX84C2V4
THRU
BZX84C47
表面贴装
硅稳压二极管
为350mW , 2.4 THRU 47伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体BZX84C2V4
系列表面贴装硅稳压二极管。这些
高品质的电压调节二极管的设计
为在工业,商业,娱乐用途和
计算机应用。
标记验证码:看电器
特性表
SOT- 23 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
单位
mW
°C
° C / W
350
-65到+150
357
电气特性:
( TA = 25 ℃) , VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安(所有类型)
齐纳
电压
VZ @ IZT
V
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
V
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
最大
V
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
TEST
当前
IZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
ZZK @ IZK
Ω
mA
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
反向
当前
IR @
μA
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
最大
最大
齐纳
齐纳
电压
温度。
当前
COEFF 。
IZM
ΘV
Z
mA
104
92
83
76
69
64
58
53
49
45
40
37
33
30
27
25
% / °C
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.05
-0.03
0.02
0.03
0.04
0.05
0.05
0.06
0.06
0.07
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
TYPE
记号
CODE
公差代号
A
B
公差
±1%
±2%
产品型号标识
B Z X 84℃ 4V 7
标称值码(即4.7伏)
公差代号
设备系列
R7 ( 2009年20月)
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