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S-80926CLNB-G6WT2G  S-814A34AMC-BCYT2G  S-80914CNNB-G8JT2G  S-812C  S-80936CNNB-G86T2G  S-814A47AMC-BDLT2G  S-80933CLPF-G63TFG  S-80926CLMC-G6WT2G  S-80932CLPF-G62TFG  S-80922CLPF-G6STFG  
CMDD2004_10 表面装载高压硅开关二极管 (SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE)
.型号:   CMDD2004_10
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描述: 表面装载高压硅开关二极管
SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
文件大小 :   362 K    
页数 : 2 页
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品牌   CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
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100%
CMDD2004
表面贴装
高压硅
开关二极管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中环半导体CMDD2004是高
高压硅开关二极管制造
外延平面工艺,环氧树脂模制在一个
超迷你™表面贴装封装,专为
应用程序需要高电压能力。
标识代码: C24
SOD- 323案例
最大额定值:
(TA=25°C)
连续反向电压
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流
连续正向电流
重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流, ​​TP =是1.0μs
峰值正向浪涌电流, ​​TP = 1.0秒
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
240
300
200
225
625
4.0
1.0
250
-65到+175
600
单位
V
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
IR
IR
BVR
VF
CT
TRR
VR=240V
VR = 240V , TA = 150℃
IR=100μA
IF=100mA
VR = 0 , F = 1.0MHz的
IF = IR = 30mA时拍摄。为了3.0毫安, RL = 100Ω
最大
100
100
单位
nA
μA
V
V
pF
ns
300
1.0
5.0
50
R5 ( 2010年8月)
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