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CMDD6001_10 表面安装低漏电型硅开关二极管 (SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE)
.型号:   CMDD6001_10
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描述: 表面安装低漏电型硅开关二极管
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE
文件大小 :   362 K    
页数 : 2 页
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品牌   CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
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100%
CMDD6001
表面贴装
低漏电硅
开关二极管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMDD6001类型
通过外延制造的硅开关二极管
平面工艺,环氧树脂模制在一个超小
TM
表面
贴装封装,专为开关应用
需要极低的泄漏二极管。
标识代码: C61
SOD- 323案例
最大额定值:
(TA=25°C)
连续反向电压
反向重复峰值电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流, ​​TP =是1.0μs
峰值正向浪涌电流, ​​TP = 1.0秒
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
75
100
250
250
4.0
1.0
250
-65到+150
500
单位
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
IR
VR=75V
BVR
IR=100μA
100
VF
VF
VF
CT
TRR
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=100mA
VR = 0 , F = 1.0MHz的
IR = IF = 10毫安, RL = 100Ω ,建议。到1.0毫安
最大
500
0.85
0.95
1.1
2.0
3.0
单位
pA
V
V
V
V
pF
μs
R4 ( 2010年8月)
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