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CMDD6263_10 表面装载高压硅肖特基二极管 (SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SCHOTTKY DIODE)
.型号:   CMDD6263_10
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描述: 表面装载高压硅肖特基二极管
SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SCHOTTKY DIODE
文件大小 :   362 K    
页数 : 2 页
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品牌   CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
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100%
CMDD6263
表面贴装
高压硅
肖特基二极管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMDD6263是
一个高电压,低VF ,在硅肖特基二极管
超迷你
表面贴装封装,专为
需要快速切换的应用程序
低正向压降。
产品特点:
高电压( 70V )
低正向电压
SOD- 323案例
标识代码: D63
最大额定值:
( TA = 25 ℃)
反向重复峰值电压
连续正向电流
峰值正向浪涌电流, ​​TP = 1.0秒
功耗
工作和存储结温
热阻
电气特性:
(TA=25ºC)
符号
测试条件
IR
VR=50V
BVR
IR=10μA
VF
CT
TRR
IF=1.0mA
VR = 0 , F = 1.0MHz的
中央的节省空间的一部分
超迷你™
表面贴装封装家庭
符号
VRRM
IF
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
70
15
50
250
-65到+150
500
单位
V
mA
mA
mW
ºC
摄氏度/ W
70
典型值
98
395
最大
200
410
2.0
5.0
单位
nA
V
mV
pF
ns
IR = IF = 10毫安, IRR = 1.0毫安, RL = 100Ω
R3 ( 2010年8月)
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