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VI-BN3-CX-S  VI-BN4-EU  L630-0UY-120AW  L630-0UR-028S  CS9011  CS8920-CQ  VI-BN4-CV  VI-BN4-MU  L630-0UY-014W  VI-BN4-IY  
CMDSH2-4L 表面安装高电流,低VF硅肖特基二极管 (SURFACE MOUNT HIGH CURRENT, LOW V-F SILICON SCHOTTKY DIODE)
.型号:   CMDSH2-4L
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描述: 表面安装高电流,低VF硅肖特基二极管
SURFACE MOUNT HIGH CURRENT, LOW V-F SILICON SCHOTTKY DIODE
文件大小 :   115 K    
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品牌   CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
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100%
CMDSH2-4L
表面贴装
大电流,低VF
硅肖特基二极管
中央
描述:
TM
半导体公司
中央半导体
CMDSH2-4L是一个高电流,低VF
40伏肖特基二极管封装在一个空间
节能SOD- 323表面贴装情况。这
超迷你™设备被设计为
小信号通用的应用程序时,
体积小,运行效率是首要
要求。
SOD- 323案例
标识代码: S2L
最大额定值:
(TA=25°C)
符号
反向重复峰值电压
连续正向电流
正向浪涌电流, ​​TP = 1.0ms的
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ , TSTG
Θ
JA
-65到+150
500
°C
° C / W
VRRM
IF
IFSM
PD
40
200
1.0
250
单位
V
mA
A
mW
电气特性:
符号
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
TRR
测试条件
VR=20V
IR=100µA
IF=10mA
IF=100mA
IF=200mA
VR = 4.0V , F = 1.0MHz的
( TA = 25° C除非另有说明)
典型值
11
最大
50
0.325
0.4
0.5
10
5.0
单位
µA
V
V
V
V
pF
ns
40
53
0.24
0.35
0.42
8.5
4.0
IF = IR = 10毫安, IRR = 1.0毫安, RL = 100Ω
R1 ( 2004年17月)
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