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CMDZ1L8 THRU CMDZ47L
表面贴装硅
LOW LEVEL稳压二极管
为250mW , 1.8 THRU 47伏
±5%
公差
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMDZ1L8系列
硅低级别的齐纳二极管是一种高品质的电压
稳压器,在超迷你™表面制造
贴装封装,专为需要应用
低工作电流,低泄漏,并具有尖锐的膝盖。
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电气特性表
SOD- 323案例
最大额定值:
(TA=25°C)
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
单位
mW
°C
° C / W
250
-65到+150
500
电气特性:
( TA = 25 ℃) , VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安(所有类型)
齐纳
电压
VZ @ IZT
V
CMDZ1L8
CMDZ2L0
CMDZ2L2
CMDZ2L4
CMDZ2L5
CMDZ2L7
CMDZ2L8
CMDZ3L0
CMDZ3L3
CMDZ3L6
CMDZ3L9
CMDZ4L3
CMDZ4L7
CMDZ5L1
CMDZ5L6
CMDZ6L2
CMDZ6L8
CMDZ7L5
CMDZ8L2
CMDZ9L1
CMDZ10L
CMDZ11L
CMDZ12L
CMDZ13L
CMDZ15L
1.710
1.900
2.090
2.280
2.375
2.565
2.660
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.645
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
V
1.8
2.0
2.2
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
最大
V
1.890
2.100
2.310
2.520
2.625
2.835
2.940
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
1200
1100
1000
900
900
900
900
900
900
900
900
900
750
400
325
90
60
60
60
60
80
80
80
80
80
最大
反向
当前
IR @ VR
μA
V
25
25
25
25
10
10
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
3.5
3.5
6.0
6.0
8.0
8.0
10.5
10.5
11.5
最大
温度
系数
ΘV
Z
%/°C
-0.085
-0.080
-0.065
-0.060
-0.060
±0.055
±0.055
±0.055
±0.055
±0.030
±0.030
±0.030
±0.030
±0.030
+0.038
+0.045
+0.050
+0.058
+0.062
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
7N
8N
9N
AP
BP
CP
DP
EP
FP
GP
HP
JP
KP
LP
NP
OP
PP
QP
RP
SP
TP
UP
VP
XP
YP
TYPE
记号
CODE
IZT
μA
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
R10 (2010年21月)
CMDZ1L8 THRU CMDZ47L
表面贴装硅
LOW LEVEL稳压二极管
为250mW , 1.8 THRU 47伏
±5%
公差
电气特性 - 续:
( TA = 25 ℃) VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安(所有类型)
齐纳
电压
VZ @ IZT
V
CMDZ16L
CMDZ18L
CMDZ20L
CMDZ22L
CMDZ24L
CMDZ27L
CMDZ30L
CMDZ33L
CMDZ36L
CMDZ39L
CMDZ43L
CMDZ47L
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
V
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
最大
V
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
80
80
100
100
120
150
200
250
300
350
400
450
最大
反向
当前
IR @ VR
μA
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
14
16
18
20
22
24
27
30
33
36
40
44
最大
温度
系数
ΘV
Z
%/°C
+0.083
+0.085
+0.086
+0.087
+0.088
+0.090
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
ZP
1P
2P
3P
4P
5P
6P
7P
8P
9P
AR
BR
TYPE
记号
CODE
IZT
μA
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
SOD- 323案例 - 机械外形
前导码:
1 )阴极
2 )阳极
R10 (2010年21月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
相关元器件产品Datasheet PDF文档

CMDZ12LTR13LEADFREE

Zener Diode, 12V V(Z), 4.913%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, SOD-323, 2 PIN
1 CENTRAL

CMDZ12V

SUPERmini ZENER DIODE 2.4 VOLTS THRU 47 VOLTS 250mW, 5% TOLERANCE
9 CENTRAL

CMDZ13L

SUPERmini. LOW LEVEL ZENER DIODE 250mW, 2.4 VOLTS THRU 36 VOLTS
7 CENTRAL

CMDZ13L

SUPERmini. LOW LEVEL ZENER DIODE 250mW, 2.4 VOLTS THRU 36 VOLTS
6 CENTRAL

CMDZ13L

SUPERmini LOW LEVEL ZENER DIODE 250mW, 1.8 VOLTS THRU 47 VOLTS
8 CENTRAL

CMDZ13L

SURFACE MOUNT SILICON LOW LEVEL ZENER DIODE 250mW, 1.8 THRU 47 VOLTS ±5% TOLERANCE
22 CENTRAL
    CMDZ12L
    应用领域和描述
    稳压二极管

    SURFACE MOUNT SILICON LOW LEVEL ZENER DIODE 250mW, 1.8 THRU 47 VOLTS ±5% TOLERANCE
    表面安装SILICON LOW LEVEL稳压二极管为250mW , 1.8 THRU 47伏± 5 %的容差

    总2页 (372K) CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
    CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
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