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BUS-63106-440L  BUS-63106-460W  BUS-63106-450L  BUS-63106-410S  TSC21020F  BUS-63106-450Y  BUS-63106-400Y  TSC21020F-20MASB  TSB5881  TSC21020F-20MBSB  
CTLM1074-M832D 多离散量模块™表面贴装低VCE ( SAT)硅PNP晶体管和低VF硅肖特基整流器 (MULTI DISCRETE MODULE ™ SURFACE MOUNT LOW VCE (SAT) SILICON PNP TRANSISTOR AND LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER)
.型号:   CTLM1074-M832D
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描述: 多离散量模块™表面贴装低VCE ( SAT)硅PNP晶体管和低VF硅肖特基整流器
MULTI DISCRETE MODULE ™ SURFACE MOUNT LOW VCE (SAT) SILICON PNP TRANSISTOR AND LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER
文件大小 :   237 K    
页数 : 2 页
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100%
CTLM1074-M832D
多离散模块
表面贴装
低VCE ( SAT)硅PNP晶体管
低VF硅肖特基整流器
TM
中央
TM
半导体公司
描述:
中环半导体股份有限公司
CTLM1074 - M832D由低VCE的( SAT ) PNP
晶体管和低VF肖特基整流器。包装
在小,热效率高,无引线3x2mm表面
安装的情况下,它被设计用于的应用,其中小
规模,运营效率,以及低能量
消费是首要的要求。由于其
无铅封装设计这个装置能够
散到类似设备的4倍,在功率
可比尺寸表面贴装封装。
特点
•双芯片器件
•大电流( 1.0A ),晶体管和肖特基整流器
•低VCE ( SAT) PNP晶体管
( 450mV @ IC = 1.0A最大)
•低VF肖特基整流器( 550mV @ 1.0A最大)
•高功率为275MW的足迹,每平方毫米的比
(封装功耗/包表面积)
•小TLM 3x2mm无铅表面贴装封装
•互补器件
CTLM1034-M832D
1.65
-65到+150
76
40
25
6.0
1.0
40
1.0
3.5
10
最大
100
100
单位
W
°C
° C / W
V
V
V
A
V
A
A
A
单位
nA
nA
V
V
V
mV
mV
顶视图
底部视图
TLM832D案例
标识代码:
CFD
应用
•开关电路
• DC / DC转换器
• LCD背光
•电池供电/便携式设备
应用包括手机,
数码相机,传呼机,掌上电脑,
笔记本电脑等。
最大额定值( TLM832D包装) :
(TA=25°C)
符号
功耗*
PD
工作和存储结温
TJ , TSTG
热阻
Θ
JA
最大额定值Q1 :
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
最大额定值D1 :
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
连续正向电流
峰值重复正向电流, tp<1ms
正向浪涌电流, ​​TP = 8毫秒
VCBO
VCEO
VEBO
IC
VRRM
IF
IFRM
IFSM
电气特性Q1 :
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
典型值
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100μA
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100μA
6.0
VCE ( SAT )
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
25
VCE ( SAT )
IC = 100mA时IB = 10毫安
40
* FR- 4环氧印刷电路板与54毫米铜安装焊盘面积
2
50
75
R1 (2008年22月)
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