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 N EW P6SMB6.8A THRU P6SMB200A v 中央 描述 TM 半导体公司 单向 玻璃钝化结 瞬态电压抑制器 600瓦， 6.8 THRU 200伏 中央半导体P6SMB6.8A 系列类型表面贴装单向 玻璃钝化结瞬态电压 抑制器旨在保护电压敏感 组件由高电压瞬变。 这 制造设备与玻璃 钝化芯片，以获得最佳 可靠性。 注意：对于双向器件，请参考 该P6SMB6.8CA系列数据表。 中小型企业案例 E Y 我分贝 PCF SEI 击穿 电压 最大额定值 （ TA = 25 ° C） 峰值功耗 峰值正向浪涌电流（ JEDEC的方法） 工作和存储 结温 电气特性 （ TA = 25 ° C） 击穿电压 工作 PEAK 型号 VBR IT @ 符号 PPM IFSM TJ ， TSTG 600 100 -65到+150 单位 W A °C 最大 反向 泄漏 @R RWM I V mA 最大 反向 浪涌 I 当前 RSM 最大 反向 电压 VRSM @ IRSM 最大 温度。 系数 VBR的 记号 CODE 反向 V 电压 RWM 伏 民 P6SMB6.8A P6SMB7.5A P6SMB8.2A P6SMB9.1A P6SMB10A P6SMB11A P6SMB12A P6SMB13A P6SMB15A P6SMB16A P6SMB18A P6SMB20A 6.45 7.13 7.79 8.65 9.5 10.5 11.4 12.4 14.3 15.2 17.1 19.0 喃 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 最大 7.14 7.88 8.61 9.55 10.5 11.6 12.6 13.7 15.8 16.8 18.9 21.0 mA 10 10 10 1 1 1 1 1 1 1 1 1 伏 5.8 6.4 7.02 7.78 8.55 9.4 10.2 11.1 12.8 13.6 15.3 17.1 A 57 53 50 45 41 38 36 33 28 27 24 22 伏 10.5 11.3 12.1 13.4 14.5 15.6 16.7 18.2 21.2 22.5 25.2 27.7 %/°C 0.057 0.061 0.065 0.068 0.073 0.075 0.078 0.081 0.084 0.086 0.088 0.090 C6V8A C7V5A C8V2A C9V1A C10A C11A C12A C13A C15A C16A C18A C20A 1000 500 200 50 10 5 5 5 5 5 5 5 414
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