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描述:
AAT3515IGV-3.08-A-C-T1  AAT3518IGV-3.08-A-A-T1  AAT3514IGV-3.08-A-A-T1  2W01G  AAT3516IGV-3.08-A-A-T1  AAT3511IGV-3.08-A-C-T1  PZM3.0NB2  2W02G  2W08G  CPT30080  
TIP42 PNP硅功率晶体管 (PNP SILICON POWER TRANSISTOR)
.型号:   TIP42
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描述: PNP硅功率晶体管
PNP SILICON POWER TRANSISTOR
文件大小 :   340 K    
页数 : 2 页
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品牌   CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
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100%
TIP42
TIP42A
TIP42B
TIP42C
PNP硅
功率晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体TIP42系列
类型PNP外延基广颖电通
专为功放和晶体管高
高速开关应用。
标记:全部型号
TO- 220 CASE
最大额定值:
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
功耗( TA = 25 ° C)
工作和存储结温
符号TIP41
VCBO
40
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ , TSTG
40
TIP41A TIP41B TIP41C
60
80
100
60
5.0
6.0
10
2.0
65
2.0
-65到+150
最大
0.7
0.7
0.4
1.0
40
60
80
100
1.5
2.0
30
15
20
3.0
0.4
0.7
兆赫
μs
μs
75
80
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
典型值
ICEO
VCE = 30V ( TIP41 , TIP41A )
ICEO
VCE = 60V ( TIP41B , TIP41C )
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
fT
花花公子
VCE =额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 30毫安( TIP41 )
IC = 30毫安( TIP41A )
IC = 30毫安( TIP41B )
IC = 30毫安( TIP41C )
IC = 6.0A , IB = 0.6A
VCE = 4.0V , IC = 6.0A
VCE = 4.0V , IC = 0.3A
VCE = 4.0V , IC = 3.0A
VCE = 10V , IC = 0.5A , F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 0.5A , F = 1.0MHz的
IC = 6.0A , IB1 = IB2 = 0.6A , RL = 5.0Ω
IC = 6.0A , IB1 = IB2 = 0.6A , RL = 5.0Ω
R1 ( 2010年13月)
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