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TH2S516.3840001.00X  
CEH2310 N沟道增强型网络场效晶体管 (N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
.型号:   CEH2310
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描述: N沟道增强型网络场效晶体管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小 :   107 K    
页数 : 2 页
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品牌   CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
购买 :   
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100%
CEH2310
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
30V , 6.2A ,R
DS ( ON)
= 33mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 38mΩ @V
GS
= 4.5V.
R
DS ( ON)
= 55mΩ @V
GS
= 2.5V.
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
坚固可靠。
被收购无铅产品。
TSOP - 6封装。
5
6
3
2
1
TSOP-6
S(4)
G(3)
4
D(1,2,5,6,)
初步
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
30
单位
V
V
A
A
W
C
±
12
6.2
25
2.0
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
这是在开发新产品的初步信息了。
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
修订版1 2006.April
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