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LTC612D1G  DS-11802D4-574Y  LTC617A1P  LTC637D1G12S  DS-11802D4-564W  DS-11802D4-564Y  DS-11802D4-565L  LTC667A1G  DS-11802D4-573Y  DS-11802D4-573S  
CEP07N65 N沟道增强型网络场效晶体管 (N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
.型号:   CEP07N65
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描述: N沟道增强型网络场效晶体管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小 :   412 K    
页数 : 4 页
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品牌   CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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100%
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP07N65
CEB07N65
CEF07N65
V
DSS
650V
650V
650V
R
DS ( ON)
1.3Ω
1.3Ω
1.3Ω
I
D
7A
7A
7A
d
CEP07N65/CEB07N65
CEF07N65
初步
@V
GS
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
D
G
G
D
S
G
CEP系列
TO-220
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
TC = 25℃ ,除非另有说明
极限
符号
TO-220/263
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
e
P
D
T
J
,T
英镑
7
28
166
1.3
650
TO-220F
单位
V
V
±
30
7
50
0.4
d
A
A
W
W / C
C
28
d
-55到150
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
0.75
62.5
极限
2.5
65
单位
C / W
C / W
这是在开发新产品的初步信息了。
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
启2. 2008.Feb 。
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