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P6SMB30CA  P6SMB51  P6SMB30A  P6SMB39C  P6KA24  P6SMB56CA  P6SMB30  P6SMB43  P6SMB56C  P6SMB36CA  
CEP6060R_06 N沟道增强型网络场效晶体管 (N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
.型号:   CEP6060R_06
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描述: N沟道增强型网络场效晶体管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小 :   81 K    
页数 : 4 页
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品牌   CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
购买 :   
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100%
CEP6060R/CEB6060R
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
60V , 60A ,R
DS ( ON)
= 25MΩ @V
GS
= 10V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
的TO-220 &的TO- 263封装。
D
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEP系列
TO-220
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
极限
60
单位
V
V
A
A
W
W / C
mJ
A
C
±
20
60
144
100
0.7
168
58
-65〜 175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
单脉冲雪崩电流
d
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
2
62.5
单位
C / W
C / W
规格及数据如有更改,恕不另行通知。
4 - 110
修订版1 2006.April
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