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XQ1003-BD-EV1  XQ4005E-3CB191M  MAXQ3212-EMX  XQ4005E-3PG196N  XQ1006-BD  MAXQ3180  MAXQ3210-EMX  XQ1005-BD  XQ2V3000-4BG728M  XQ1002-BD-000V  
CEU01N7 N沟道增强型网络场效晶体管 (N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
.型号:   CEU01N7
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描述: N沟道增强型网络场效晶体管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小 :   416 K    
页数 : 4 页
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品牌   CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
购买 :   
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100%
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
700V , 0.8A ,R
DS ( ON)
= 18
@V
GS
= 10V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
CED01N7/CEU01N7
D
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
700
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
30
0.8
3.0
31
0.25
-55到150
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
4
50
单位
C / W
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
冯2. 2011.Jan
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