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W02M 单相硅桥 (SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE)
.型号:   W02M
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描述: 单相硅桥
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
文件大小 :   121 K    
页数 : 2 页
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品牌   CHENG-YI [ CHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. ]
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100%
W005M通W10M
单相硅桥
CHENG-易
电子
电压范围
50到1000伏特
当前
1.5安培
特点
较高的反向电压为1000V
浪涌过载额定值到50安培峰值
适合印刷电路板组件
安装位置:任意
重量: 1.20克
最大额定值和电气特性
25评分
0
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
最大额定值
(在T
A
=25
0
C除非另有说明)
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流在@
TA = 25℃
0
符号
W005M
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
50
35
50
W01M
100
70
100
W02M
200
140
200
W04M
400
280
400
1.5
W06M
600
420
600
W08M
800
560
800
W010M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
工作温度范围
存储温度范围
0
I
FSM
T
J
T
英镑
50
A
-55到+125
-55到+150
0
C
C
0
电气特性
(在T
A
= 25°C除非另有说明)
特征
每1.0A DC元素最大正向电压降
W005M
W01M
W02M
W04M
1.0
10
1
W06M
W08M
W010M
单位
V
V
F
I
R
额定最大反向电流
每个元素阻断电压DC
@ TA = 25
0
C
@ TA = 100
0
C
A
mA
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