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描述:
DT04EX  DT08CB250  M38510/31005BDC  M38510/31004SAB  M38510/31005CAC  M38510/31005BAX  M38510/31005CAX  DT05EX  DT05A500  M38510/31004SDC  
CHIMD8PT 双数字硅晶体管 (Dual Digital Silicon Transistor)
.型号:   CHIMD8PT
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描述: 双数字硅晶体管
Dual Digital Silicon Transistor
文件大小 :   131 K    
页数 : 4 页
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品牌   CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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100%
CHDTC144T
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C(最大值)。
P
D
T
英镑
T
J
Ĵ -S
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
CHDTA144T特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
SY mbol
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE ( SAT )
I
CBO
I
EBO
h
FE
R
1
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极电流
发射极 - 基极电流
直流电流增益
输入电阻
跃迁频率
条件
I
C
= -50uA
I
E
= -50uA
I
C
= -5mA ;我
B
= -0.5mA
V
CB
= -50V
V
EB
= -4V
I
C
= -1mA ; V
CE
= -5.0V
I
E
= 5毫安,V
CE
= -10.0V
f=100MHz
=
分钟。
-50.0
-50.0
-5.0
100
32.9
250
47
250
TY页。
-0.3
-0.5
-0.5
600
61.1
KΩ
兆赫
马克斯。
V
V
V
V
uA
uA
单位
参数
科尔埃克特基极电压连续
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
科尔目前埃克特
功耗
储存温度
结温
热电阻,注1
条件
50
50
5
100
T
AMB
25
O
C,注意1
300
价值
V
V
V
单位
mA
mW
O
−55 ∼ +150
−55 ∼ +150
结 - 焊接点
140
C
O
C
C / W
O
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= -1mA
不ê
1.Pulse测试: tp≤300uS ;
δ ≤
0.02.
CHDTC144T
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
R
1
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
条件
I
C
=50uA
I
E
=50uA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=5mA/0.5mA
I
C
= 1毫安; V
CE
=5.0V
I
C
= 5毫安,V
CE
=10.0V
f=100MHz
分钟。
50
50
5.0
100
32.9
典型值。
马克斯。
V
V
V
单位
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
=1.0mA
0.5
0.5
0.3
600
61.1
uA
uA
V
KΩ
兆赫
直流电流增益
输入电阻
跃迁频率
250
47
250
1.Pulse测试: tp≤300uS ;
δ≤0.02.
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