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DL5221
THRU
DL5261
500毫瓦
稳压二极管
2.4至47伏特
MiniMELF
阴极标记
特点
宽电压范围可
玻璃包装
高温焊接: 250 ℃,10秒码头
表面贴装封装
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 150°C
500 mWatt直流功耗
功率降额: 4.0mW时/ ° C以上50℃
正向电压@ 200毫安: 1.1伏特
图1 - 典型电容
100
C
B
A
pf
10
在零伏
在-2伏特V
R
暗淡
A
B
C
英寸
.134
.008
.055
尺寸
MM
3.40
.20
1.40
1
0
100
V
Z
200
最大
.142
.016
.059
最大
3.60
.40
1.50
典型电容(pF ) -
- 齐纳电压(V
Z
)
图2 - 降额曲线
建议焊料
焊盘布局
400
mW
200
0.075”
0.105
0.030”
50
100
150
温度
°C
功耗(MW ) -
- 温度
°C
0
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DL5221通DL5261
部分
DL5221
DL5222
DL5223
DL5224
DL5225
DL5226
DL5227
DL5228
DL5229
DL5230
DL5231
DL5232
DL5233
DL5234
DL5235
DL5236
DL5237
DL5238
DL5239
DL5240
DL5241
DL5242
DL5243
DL5244
DL5245
DL5246
DL5247
DL5248
DL5249
DL5250
DL5251
DL5252
DL5253
DL5254
DL5255
DL5256
DL5257
DL5258
DL5259
DL5260
DL5261
额定齐纳
电压V
Z
@ I
ZT
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
TEST
电流I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
最大齐纳阻抗
“B”后缀ONLY
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
= 0.25毫安
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
最大反向
漏电流
I
R
@
V
R
µA
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
MAX 。齐纳电压
TEMP系数' B'
后缀ONLY
% /
°C
-0.085
-0.085
-0.080
-0.080
-0.075
-0.070
-0.065
-0.060
±0.055
±0.030
±0.030
+0.038
+0.038
+0.045
+0.050
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
+0.087
+0.088
+0.089
+0.090
+0.091
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
注1:表所示的列表中键入数字,这表示在± 20 %的公差与仅Vz的保证的限制,我
R
和V
F
。与设备
在所有六个参数保证的限制由后缀“ A”为± 10 %的人表示, “B”为± 5 % , “C”为± 2 % ,而“D”为± 1 %容差
注2 :允许装置20秒稳定后的电气特性进行测量。
注3 :温度系数(
VZ
) 。是测试条件为温度系数,如下所示:
a.
I
ZT
= 7.5毫安,T
I
= 25
o
(C T)
2
= 125
o
C( DL5221通DL5242 )
b.
I
ZT
=额定我
ZT
, T
I
= 25
o
C,T
2
= 125
o
C( DL5243通DL5261 )
器件进行温度稳定的与当前读出的击穿电压在规定的环境温度之前施加。
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相关元器件产品Datasheet PDF文档

DL5228A-TP

暂无描述
1 MCC

DL5228B

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GLASS SILICON ZENER DIODES
19 DCCOM

DL5228B

GLASS SILICON ZENER DIODES
10 HY

DL5228B

ZENER DIODES Voltage: 2.4-56V P e a k Pulse Power: 500mW Glass passivated junction
16 CHENDA

DL5228B-GT1

Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, GLASS, MINIMELF-2
1 SENSITRON