元器件型号: | IX2127N |
生产厂家: | CLARE, INC. |
描述和应用: | High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver |
PDF文件: | 总11页 (文件大小:1365K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:IX2127N参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | IXYS CORP |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.8 |
Samacsys Description | Gate Drivers High-Voltage MOSFET 600V, 250/500mA |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XDSO-G8 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver
高电压功率MOSFET和IGBT驱动器